公开(公告)号：CN106952926A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710011037.8

申请日：2017-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴真佑 ,  朴在信 ,  朴照英 ,  徐志雄 ,  李锡元

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/0649 ,  H01L27/11556

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：包括第一单元阵列区域和外围区域的衬底；多个堆叠结构，其在第一单元阵列区域上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；覆盖堆叠结构的绝缘层；以及至少一个分离结构，其在外围区域上在第二方向上延伸并且在垂直于衬底的顶表面的方向上穿透绝缘层。

公开(公告)号：CN106952926B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201710011037.8

申请日：2017-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴真佑 ,  朴在信 ,  朴照英 ,  徐志雄 ,  李锡元

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：包括第一单元阵列区域和外围区域的衬底；多个堆叠结构，其在第一单元阵列区域上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；覆盖堆叠结构的绝缘层；以及至少一个分离结构，其在外围区域上在第二方向上延伸并且在垂直于衬底的顶表面的方向上穿透绝缘层。