公开(公告)号：CN102194888A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050015.5

申请日：2011-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  延圣珍 ,  金连洪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极，形成在基板上；半导体图案，与栅电极重叠；源电极，与半导体图案的第一端重叠；以及漏电极，与半导体图案的第二端重叠且与源电极间隔开。半导体图案包括非晶多元素化合物，该非晶多元素化合物包括II B族元素和VI A族元素或者包括III A族元素和V A族元素并具有不小于1.0cm2/Vs的电子迁移率和非晶相，其中VI A族元素包括不包括氧。这样，薄膜晶体管的驱动特性得到提高。