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公开(公告)号：CN118555824A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311678925.7
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金智成 , 金俊秀 , 文大炫 , 张成豪
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区；有源图案，在单元区上在第一方向和第二方向上彼此相邻，第一方向和第二方向与衬底的下表面平行并且彼此交叉；屏蔽图案，围绕有源图案的侧表面；第一隔离图案，在有源图案与屏蔽图案之间围绕有源图案；第二隔离图案，在沿第一方向相邻的有源图案之间；以及字线，在第二方向上与有源图案和屏蔽图案交叉。
