公开(公告)号：CN107017285B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201611101627.1

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  徐承汉 ,  成汝铉

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件。该半导体器件可以包括：沟道层，设置在基板上并且包括由第一材料制成的二维原子层；和源/漏层，设置在基板上并且包括第二材料。第一材料可以是磷的同素异形体之一，第二材料可以是碳的同素异形体之一，沟道层和源/漏层可以通过在第一和第二材料之间的共价键彼此连接。

公开(公告)号：CN107017285A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611101627.1

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  徐承汉 ,  成汝铉

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/16 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件。该半导体器件可以包括：沟道层，设置在基板上并且包括由第一材料制成的二维原子层；和源/漏层，设置在基板上并且包括第二材料。第一材料可以是磷的同素异形体之一，第二材料可以是碳的同素异形体之一，沟道层和源/漏层可以通过在第一和第二材料之间的共价键彼此连接。