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公开(公告)号：CN119317119A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410395508.X
申请日：2024-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L25/065 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本公开涉及半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。示例性半导体封装件包括：第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括第一基板和位于所述第一基板上的第一接合层；第二半导体管芯，所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯上，所述第二半导体管芯包括第二基板和位于所述第二基板下方的第二接合层；以及氧化硅层，所述氧化硅层插入在所述第一半导体管芯与所述第二半导体管芯之间，其中，在所述氧化硅层中设置有至少一个孔，并且所述至少一个孔的高度为#imgabs0#至2nm。
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公开(公告)号：CN117352492A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310808184.3
申请日：2023-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一焊盘；第二半导体芯片，在第一半导体芯片下方，第二半导体芯片包括具有前表面和相对的后表面的衬底、在前表面上并与第一焊盘接触的第二焊盘、以及电连接到第二焊盘并包括从衬底的后表面突出的突出部的贯通电极；通孔结构，设置在第二半导体芯片周围并与第一焊盘接触；第一介电层，沿衬底的后表面和贯通电极的突出部的侧表面延伸；第二介电层，在第一介电层下方并在贯通电极的突出部之间以及通孔结构之间的空间中；以及凸块结构，在第二介电层下方并电连接到贯通电极和通孔结构。
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公开(公告)号：CN105390478B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201510497228.0
申请日：2015-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L25/16
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体基板，第一划片线区和第一芯片区限定在第一半导体基板中；第一对准记号，位于第一半导体基板内部并且位于第一划片线区中，以与第一半导体基板的上侧分隔开；第二半导体基板，位于第一半导体基板上，第二划片线区和第二芯片区限定在第二半导体基板中；第二对准记号，位于第二半导体基板内部并且位于第二划片线区中，以与第二半导体基板的上侧分隔开，其中，第二半导体基板位于第一半导体基板上，使得第一对准记号的位置和第二对准记号的位置彼此对应。
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公开(公告)号：CN105390478A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510497228.0
申请日：2015-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L25/16
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/53 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2223/5448 , H01L2224/16225 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体基板，第一划片线区和第一芯片区限定在第一半导体基板中；第一对准记号，位于第一半导体基板内部并且位于第一划片线区中，以与第一半导体基板的上侧分隔开；第二半导体基板，位于第一半导体基板上，第二划片线区和第二芯片区限定在第二半导体基板中；第二对准记号，位于第二半导体基板内部并且位于第二划片线区中，以与第二半导体基板的上侧分隔开，其中，第二半导体基板位于第一半导体基板上，使得第一对准记号的位置和第二对准记号的位置彼此对应。
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公开(公告)号：CN112366186B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202011154389.7
申请日：2017-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括第一贯通电极；多个第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片的顶表面上，多个第二半导体芯片中的至少一个包括第二贯通电极；多个第一连接凸块，附接到第一半导体芯片的底表面，多个第一连接凸块中的每个包括第一柱结构和第一焊料层；以及多个第二连接凸块，在第一半导体芯片和最下面的第二半导体芯片之间以及在多个第二半导体芯片当中相邻的两个第二半导体芯片之间，多个第二连接凸块中的每个包括第二柱结构和第二焊料层，其中，第一柱结构包括第一柱层、扩散阻挡层和粘合层，以及第二柱结构包括第二柱层并且不包括与粘合层相对应的层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452695B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201710333226.7
申请日：2017-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装包括：在其中提供贯通电极的第一半导体芯片；连接到第一半导体芯片的顶表面的第二半导体芯片；第一连接凸块，附接到第一半导体芯片的底表面并且包括第一柱结构和第一焊料层；以及第二连接凸块，位于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，配置为电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片，并且包括第二柱结构和第二焊料层。
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公开(公告)号：CN112366185A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011154388.2
申请日：2017-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括多个第一贯通电极；多个第一顶部接触焊盘，附接到第一半导体芯片的顶表面并且分别连接到多个第一贯通电极；多个第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片的顶表面上，多个第二半导体芯片中的至少一个包括第二贯通电极；多个第一连接凸块，附接到第一半导体芯片的底表面，多个第一连接凸块中的每个包括第一柱结构和第一焊料层；以及多个第二连接凸块，位于第一半导体芯片和最下面的第二半导体芯片之间以及多个第二半导体芯片当中相邻的两个第二半导体芯片之间，多个第二连接凸块中的每个包括第二柱结构和第二焊料层。
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公开(公告)号：CN105390467B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510523211.8
申请日：2015-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 可提供一种芯片堆叠半导体封装件，该芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有多个第一真实凸点焊盘和多个第一虚设凸点焊盘；第二芯片，在第一芯片上，第二芯片包括多个真实凸点和多个桥接虚设凸点，所述多个真实凸点电连接到所述多个第一真实凸点焊盘，所述多个桥接虚设凸点连接到所述多个第一虚设凸点焊盘；密封构件，密封第一芯片和第二芯片。
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公开(公告)号：CN119947124A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411220721.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体芯片，包括：衬底；衬底上的多个上焊盘，该多个上焊盘包括第一组上焊盘和第二组上焊盘；缓冲层，覆盖第一组上焊盘的侧表面；以及绝缘层，在衬底上围绕第二组上焊盘的侧表面和缓冲层的侧表面，其中，缓冲层包括第一材料，该第一材料的第一杨氏模量小于多个上焊盘中的第二材料的第二杨氏模量。
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公开(公告)号：CN114256183A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110822007.1
申请日：2021-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体封装件包括：顺序堆叠的第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及第一内部连接构件，将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此连接。第一半导体芯片包括：第一衬底，具有彼此相对的第一顶表面和第一底表面；以及在第一顶表面上的第一导电焊盘。第二半导体芯片包括：第二衬底，具有彼此相对的第二顶表面和第二底表面；以及在第二底表面上的第二导电凸块。第一内部连接构件将第一导电焊盘连接到第二导电凸块。第一导电焊盘在一个方向上具有第一宽度。第二导电凸块在该一个方向上具有第二宽度。第一宽度小于第二宽度。
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