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公开(公告)号：CN112306907A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010657518.8
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0873 , G06F12/02
Abstract: 提供了一种存储设备、包括其的存储系统及存储设备的操作方法。所述存储系统包括存储设备以及访问所述存储设备的主机，所述存储设备包括非易失性存储器件以及被配置为控制所述非易失性存储器件的存储控制器。所述存储设备根据所述主机的请求，向所述主机传送映射数据，在所述映射数据中，所述非易失性存储器件的物理地址与从所述主机提供的逻辑地址映射。所述主机将所传送的映射数据作为映射高速缓存数据进行存储和管理。所述映射高速缓存数据是根据基于所述非易失性存储器件的对应区域确定的优先级来管理的。
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公开(公告)号：CN117149052A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310395197.2
申请日：2023-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种响应于重放保护存储块(RPMB)清除命令来执行清除操作的存储设备，包括：至少一个非易失性存储器件；以及存储控制器。该存储控制器被配置为：控制至少一个非易失性存储器件的数据输入和数据输出、跟踪至少一个易失性存储器件的存储有RPMB数据的至少一个RPMB、以及基于RPMB的数量达到阈值来触发垃圾收集，并且该存储控制器还被配置为：基于分配要将写入数据编程到的日志块，使空闲块中的与RPMB相对应的存储块优先于空闲块中的非RPMB块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114860156A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210107484.4
申请日：2022-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种被配置为控制通用闪存(UFS)设备的UFS主机的操作方法包括：配置所述UFS设备的turbo写入缓冲器；在驱动所述UFS设备期间，向所述UFS设备发送包括关于所述turbo写入缓冲器的重新配置信息的第一查询请求UFS协议信息单元(UPIU)；以及从所述UFS设备接收与所述第一查询请求UPIU相关联的第一响应UPIU，其中，所述第一查询请求UPIU是使得所述UFS设备的所述turbo写入缓冲器的大小从第一大小改变为不同于所述第一大小的第二大小的请求。
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公开(公告)号：CN112306907B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202010657518.8
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0873 , G06F12/02
Abstract: 提供了一种存储设备、包括其的存储系统及存储设备的操作方法。所述存储系统包括存储设备以及访问所述存储设备的主机，所述存储设备包括非易失性存储器件以及被配置为控制所述非易失性存储器件的存储控制器。所述存储设备根据所述主机的请求，向所述主机传送映射数据，在所述映射数据中，所述非易失性存储器件的物理地址与从所述主机提供的逻辑地址映射。所述主机将所传送的映射数据作为映射高速缓存数据进行存储和管理。所述映射高速缓存数据是根据基于所述非易失性存储器件的对应区域确定的优先级来管理的。
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公开(公告)号：CN104419931A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310376404.6
申请日：2013-08-26
Applicant: 广州三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
IPC: C23F1/28
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻液，所述蚀刻液由以重量计的下述组分配制而成：15%-25%的三氯化铁，30%-50%的氢氟酸，2%-5%的磷酸，其余为水。优选地，在蚀刻液中，以重量计，三氯化铁的含量为20%-25%，氢氟酸的含量为35%-50%，磷酸的含量为2%-3%，其余为水。本发明的蚀刻液能够在实现高蚀刻效率和优良的加工效果的同时能够形成凸凹起伏和平缓过渡的表面微结构。
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