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发明公开
半导体存储器件审中-实审

公开(公告)号：CN116033745A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211301369.7

申请日：2022-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成根 , 朴禧影 , 朴晋亨 , 李根泽 , 张正赫 , 郑天炯

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种能够提高器件的性能和/或可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，具有单元区和沿着单元区的外围限定的外围区，其中单元区包括由单元元件分离膜限定的有源区；单元区分离膜，在衬底中并限定单元区；以及多个存储接触，连接到有源区并沿第一方向布置。多个存储接触包括第一存储接触、第二存储接触和第三存储接触，其中第二存储接触在第一存储接触和第三存储接触之间，第一存储接触和第三存储接触中的每个包含或围绕或限定气隙，第二存储接触没有气隙。

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