公开(公告)号：CN117412591A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310861040.4

申请日：2023-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀暻 ,  黄灿 ,  崔贞姬

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在下结构上形成具有第一厚度的光致抗蚀剂层；使光致抗蚀剂层的一部分曝光以形成光致抗蚀剂层的曝光部分和非曝光部分；去除光致抗蚀剂层的一部分以形成具有小于第一厚度的第二厚度的光致抗蚀剂层；以及去除具有第二厚度的光致抗蚀剂层的曝光部分或非曝光部分以形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN117806125A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202310948715.9

申请日：2023-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贞姬 ,  金俸彻 ,  陶炯完

IPC: G03F7/16 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/42

Abstract: 衬底处理系统包括：涂布装置，被配置为在半导体衬底上涂布光刻胶膜；曝光装置，被配置为将光照射到光刻胶膜上以形成光刻胶图案区域；显影系统，被配置为从光刻胶膜去除除了光刻胶图案区域以外的不必要的区域以形成光刻胶图案，所述显影系统包括湿式显影装置和干式显影装置，所述湿式显影装置被配置为使用显影液来去除不必要的区域，所述干式显影装置被配置为使用显影气体来去除不必要的区域；清洁装置，包括清洁室并且被配置为去除在半导体衬底的边缘区域上的光刻胶膜或光刻胶图案的边缘球状物；以及加热装置，被配置为加热光刻胶膜或光刻胶图案。

公开(公告)号：CN114388507A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111216535.9

申请日：2021-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锡和 ,  金冈昱 ,  鲁贤硕 ,  朴容臣 ,  宣潒珪 ,  李善英 ,  李昭享 ,  李泓浚 ,  郑湖璇 ,  陈姃玟 ,  崔贞姬 ,  崔秦瑞 ,  洪世罗

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：形成包括多个晶体管的下部结构；在下部结构上形成导电层；在导电层上形成第一初步焊盘掩模图案和布线掩模图案；在保护布线掩模图案的同时，通过图案化第一初步焊盘掩模图案来形成焊盘掩模图案；以及使用焊盘掩模图案和布线掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层，以形成焊盘图案和布线图案。

公开(公告)号：CN119230389A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410789023.9

申请日：2024-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桂荣 ,  尹详皓 ,  崔贞姬 ,  郑宇陈

IPC: H01L21/033 ,  H10B12/00 ,  G03F7/00

Abstract: 提供了形成图案的方法和使用该方法制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括：在衬底中形成第一凹陷；在衬底上形成延伸到第一凹陷中的第一掩模层；对第一掩模层执行热处理工艺；去除第一掩模层的上部以在第一凹陷中形成第一掩模，第一掩模包括第一掩模层的下部；在衬底和第一掩模上形成第二掩模，第二掩模包括相对于蚀刻工艺具有比第一掩模的耐受性大的耐受性的材料；以及使用第二掩模作为蚀刻掩模对衬底执行蚀刻工艺，以在衬底上形成图案。