公开(公告)号：CN101026085A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710006595.1

申请日：2007-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆泰 ,  崔哲焕 ,  金暻台 ,  崔准佑

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C14/564 ,  F16K1/22 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造设备，该半导体器件制造设备具有真空系统，该真空系统增强了从所述设备的真空室排放的气体的流畅性。该真空系统具有排气管路和节流阀，所述节流阀包括排气管路开关构件，将排气管路开关构件定向，通过排气管路中的集中的气流来容易地打开排气管路开关构件。该真空系统可包括加热气体通过的排气管路的加热单元。另外，在排气管路开关构件的排气管路开关构件上游的弯曲部可具有逐渐弯曲的形状和/或可以包成小于90度的角度。结果，增强了所述处理室的抽真空的效率，这使得控制处理室的压力更容易且使得对节流阀和排气管路的污染最小化。

公开(公告)号：CN1377990A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN01110401.5

申请日：2001-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林全植 ,  田真镐 ,  李钟昇 ,  崔哲焕

IPC: C23C16/24

Abstract: 在用于减轻和/或消除基于二氯甲硅烷基的CVD多晶硅硅化物WSiX膜中底层多晶硅的异常生长的工艺中,第一种技术是在基本上能够避免底层多晶硅结晶的温度进行底层多晶硅层的淀积。第二种方法是减小甲硅烷SiH4后冲洗暴露(例如持续时间和/或浓度),以避免硅侵入到底层多晶硅层,产生异常生长。以这种方式,可以消除异常现象,例如在后来的层中出现的应力破裂。

公开(公告)号：CN114759029A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210007879.7

申请日：2022-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴焕悦 ,  金桓佑 ,  李钟圭 ,  崔哲焕

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明构思的半导体结构包括：芯片区域，其包括基板上的多个半导体芯片；以及外围区域，其位于芯片区域的外围处，外围区域包括模制结构。模制结构可包括在基板上的基础模制层和在基础模制层上的复合模制层，复合模制层包括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层。

公开(公告)号：CN1253599C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN01110401.5

申请日：2001-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林全植 ,  田真镐 ,  李钟昇 ,  崔哲焕

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/42

Abstract: 在用于减轻和/或消除基于二氯甲硅烷基的CVD多晶硅硅化物WSix膜中底层多晶硅的异常生长的工艺中，第一种技术是在基本上能够避免底层多晶硅结晶的温度进行底层多晶硅层的淀积。第二种方法是减小甲硅烷SiH4后冲洗暴露(例如持续时间和/或浓度)，以避免硅侵入到底层多晶硅层，产生异常生长。以这种方式，可以消除异常现象，例如在后来的层中出现的应力破裂。