公开(公告)号：CN101026085A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710006595.1

申请日：2007-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆泰 ,  崔哲焕 ,  金暻台 ,  崔准佑

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C14/564 ,  F16K1/22 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造设备，该半导体器件制造设备具有真空系统，该真空系统增强了从所述设备的真空室排放的气体的流畅性。该真空系统具有排气管路和节流阀，所述节流阀包括排气管路开关构件，将排气管路开关构件定向，通过排气管路中的集中的气流来容易地打开排气管路开关构件。该真空系统可包括加热气体通过的排气管路的加热单元。另外，在排气管路开关构件的排气管路开关构件上游的弯曲部可具有逐渐弯曲的形状和/或可以包成小于90度的角度。结果，增强了所述处理室的抽真空的效率，这使得控制处理室的压力更容易且使得对节流阀和排气管路的污染最小化。