公开(公告)号：CN110619913B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201910509505.3

申请日：2019-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世元 ,  金真怜 ,  朴一汉 ,  徐贤 ,  任琫淳

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

Abstract: 提供了其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件。一种存储器器件包括在下层衬底上的非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列。提供了一种擦除控制电路，其被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用具有不相等幅度的相应擦除电压驱动电耦合到非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列的多条位线。这种擦除控制电路还可以被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用第一擦除电压驱动所述多条位线中的第一位线达第一持续时间，并且用第二擦除电压驱动所述多条位线中的第二位线达与所述第一持续时间不相等的第二持续时间。

公开(公告)号：CN110619913A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910509505.3

申请日：2019-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世元 ,  金真怜 ,  朴一汉 ,  徐贤 ,  任琫淳

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

Abstract: 提供了其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件。一种存储器器件包括在下层衬底上的非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列。提供了一种擦除控制电路，其被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用具有不相等幅度的相应擦除电压驱动电耦合到非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列的多条位线。这种擦除控制电路还可以被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用第一擦除电压驱动所述多条位线中的第一位线达第一持续时间，并且用第二擦除电压驱动所述多条位线中的第二位线达与所述第一持续时间不相等的第二持续时间。

公开(公告)号：CN115223623A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202111496363.5

申请日：2021-12-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 权奇元 ,  尹世元 ,  金相沅

IPC: G11C16/04 ,  G11C5/06

Abstract: 公开了处理元件和包括处理元件的电子装置，所述电子装置包括：处理元件，按行和列布置；字线，与处理元件的行连接；位线，与处理元件的列连接；主体线，与处理元件的列连接；以及源极线，与处理元件的行连接。每个处理元件包括：第一端子，与位线中的相应位线连接；第二端子，与源极线中的相应源极线连接；控制栅极，与字线中的相应字线连接；浮置栅极，处于控制栅极与主体之间；主体端子，与主体线中的相应主体线连接；以及电容元件，处于浮置栅极与相应位线之间。

公开(公告)号：CN111916457A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010253754.3

申请日：2020-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世元 ,  姜勍旻 ,  姜东求

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

Abstract: 本公开提供了页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置。描述了包括页缓冲器以减少存储单元的阈值电压分布偏斜并改善编程性能的系统和方法。页缓冲器包括：第一电路元件，连接到用于供给第一位线电压的第一端子；第二电路元件，连接到用于供给第二位线电压的第二端子；以及锁存器，配置为控制第一电路元件和第二电路元件。