公开(公告)号：CN106409909A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610617613.9

申请日：2016-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元洪 ,  俞东洙 ,  李民主 ,  宋文均 ,  崔戍侦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开涉及制造集成电路器件的方法。一种集成电路器件可以包括覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁的栅绝缘层、覆盖栅绝缘层的栅电极、以及沿鳍形有源区和栅绝缘层之间的界面设置的氢原子层。一种制造集成电路器件的方法可以包括：形成覆盖初步鳍形有源区的下部的绝缘层；通过在氢气氛中退火初步鳍形有源区的上部形成鳍形有源区，该鳍形有源区具有平滑度增大的外表面；以及形成覆盖鳍形有源区的外表面的氢原子层。栅绝缘层和栅电极可以被形成为覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁。

公开(公告)号：CN106486353A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610720818.X

申请日：2016-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞东洙 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  李民主 ,  崔戍侦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在有源图案上形成牺牲栅图案；在牺牲栅图案的彼此对立的侧壁上形成间隔物；在有源图案和间隔物上形成层间绝缘层；去除牺牲栅图案以形成暴露有源图案的区域的栅沟槽；在有源图案的由栅沟槽暴露的区域上形成栅电介质层；在小于1atm的压强执行第一热处理以去除层间绝缘层中的杂质；在比第一热处理的温度高的温度对栅电介质层执行第二热处理；以及在栅沟槽中形成栅电极。

公开(公告)号：CN102130125A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010623026.3

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  金明宣 ,  郑会晟 ,  都晋昈 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  朱大权

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。

公开(公告)号：CN106409909B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201610617613.9

申请日：2016-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元洪 ,  俞东洙 ,  李民主 ,  宋文均 ,  崔戍侦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开涉及制造集成电路器件的方法。一种集成电路器件可以包括覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁的栅绝缘层、覆盖栅绝缘层的栅电极、以及沿鳍形有源区和栅绝缘层之间的界面设置的氢原子层。一种制造集成电路器件的方法可以包括：形成覆盖初步鳍形有源区的下部的绝缘层；通过在氢气氛中退火初步鳍形有源区的上部形成鳍形有源区，该鳍形有源区具有平滑度增大的外表面；以及形成覆盖鳍形有源区的外表面的氢原子层。栅绝缘层和栅电极可以被形成为覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁。

公开(公告)号：CN118263250A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311582590.9

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  宋文均

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置，包括：鳍状图案；场绝缘膜，该场绝缘膜覆盖鳍状图案的侧壁；源极/漏极图案，该源极/漏极图案设置在鳍状图案的上表面上；源极/漏极蚀刻停止膜，该源极/漏极蚀刻停止膜沿着场绝缘膜的上表面和源极/漏极图案的侧壁延伸；源极/漏极接触，该源极/漏极接触连接到源极/漏极图案；掩埋导电图案，该掩埋导电图案穿透衬底且连接到源极/漏极接触，该掩埋导电图案的一部分设置在场绝缘膜内；以及后布线线路，该后布线线路连接到掩埋导电图案。场绝缘膜包括第一场填充膜和第一场停止膜。第一场停止膜设置在第一场填充膜与衬底之间。第一场停止膜包括对于第一场填充膜具有蚀刻选择性的材料。

公开(公告)号：CN106486353B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201610720818.X

申请日：2016-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞东洙 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  李民主 ,  崔戍侦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在有源图案上形成牺牲栅图案；在牺牲栅图案的彼此对立的侧壁上形成间隔物；在有源图案和间隔物上形成层间绝缘层；去除牺牲栅图案以形成暴露有源图案的区域的栅沟槽；在有源图案的由栅沟槽暴露的区域上形成栅电介质层；在小于1atm的压强执行第一热处理以去除层间绝缘层中的杂质；在比第一热处理的温度高的温度对栅电介质层执行第二热处理；以及在栅沟槽中形成栅电极。

公开(公告)号：CN102130125B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201010623026.3

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  金明宣 ,  郑会晟 ,  都晋昈 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  朱大权

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。