公开(公告)号：CN118173542A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311599150.4

申请日：2023-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安惠利 ,  朴桐湜 ,  申树浩 ,  朴晙晳 ,  朴建熹 ,  李佳垠 ,  张志熏 ,  曹裕珍 ,  曹河娜

IPC: H01L23/552 ,  H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 半导体装置包括开关元件和电连接到开关元件的数据存储结构。数据存储结构包括第一电极、第二电极、以及位于第一电极与第二电极之间的电介质层。第二电极包括掺杂有杂质元素的化合物半导体层，化合物半导体层包括两种或更多种元素，并且包括掺杂有杂质元素的半导体材料，两种或更多种元素包括第一元素和第二元素，第一元素是硅(Si)，并且化合物半导体层中的杂质元素的浓度在大约0.1at％至大约5at％的范围内，并且化合物半导体层中的第一元素的浓度在大约10at％至大约15at％的范围内。