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公开(公告)号：CN107423230B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710357927.4
申请日：2017-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0893 , G06F11/10
Abstract: 公开了存储模块、具有该存储模块的计算系统以及测试计算系统的标签错误方法。该计算系统的方法包括：在处理器处将命令和地址输出到存储器模块；从存储器模块接收指示将对应于地址的标签与存储在存储器模块中的标签进行比较的结果的匹配/不匹配比特；在处理器处通过使用多数表决根据匹配/未匹配比特中确定高速缓存命中/未命中；以及在处理器处将所确定的高速缓存命中/未命中的信息输出到存储器模块。
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公开(公告)号：CN110415755A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201811626581.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: DRAM器件包括第一端子、第二端子、第三端子、控制信号发生器、CRC单元、行解码器、列解码器和存储器单元阵列。控制信号发生器生成控制信号。CRC单元执行以下操作：对第一数据组执行第一CRC逻辑操作，第一数据组包括通过输入n位第一数据q次而生成的qn位第一数据；生成第一CRC结果信号；对第二数据组执行第二CRC逻辑操作；第二数据组包括通过输入n位第二数据q次而生成的qn位第二数据；生成第二CRC结果信号；以及基于第一CRC结果信号和第二CRC结果信号生成错误信号。响应于所述控制信号基于所述第二CRC结果信号生成所述错误信号，而不管所述第一CRC结果信号如何。
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公开(公告)号：CN107767919A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710695779.7
申请日：2017-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 孙钟弼
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G11C11/419 , G06F11/1048 , G11C7/08 , G11C7/18 , G11C29/04 , G11C29/42 , G11C2029/0411
Abstract: 半导体存储器设备包括存储器单元阵列、控制逻辑电路、内部处理电路和纠错电路。控制逻辑电路响应于来自存储器控制器的命令生成内部处理模式信号。响应于内部处理模式信号，内部处理电路选择性地对从存储器单元阵列读取的第一数据集合执行内部处理操作，以输出处理结果数据。纠错电路对处理结果数据执行纠错码(ECC)编码，以生成第二奇偶校验数据，并且将处理结果数据和第二奇偶校验数据存储在存储器单元阵列中。纠错电路通过选择多个ECC中与第一ECC相同的ECC来生成第二奇偶校验数据。
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公开(公告)号：CN102467971B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110361944.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/525
CPC classification number: H01L27/101 , G11C17/14 , G11C17/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括熔丝的半导体器件以及操作其的方法。半导体器件包括熔丝阵列、第一寄存器单元以及第二寄存器单元。熔丝阵列包括多个行和列；第一寄存器单元从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据。至少一行的熔丝数据的熔丝数据通过第一寄存器单元并行接收。第二寄存器单元从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。
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公开(公告)号：CN102467971A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110361944.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/525
CPC classification number: H01L27/101 , G11C17/14 , G11C17/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括熔丝的半导体器件以及操作其的方法。半导体器件包括熔丝阵列、第一寄存器单元以及第二寄存器单元。熔丝阵列包括多个行和列；第一寄存器单元从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据。至少一行的熔丝数据的熔丝数据通过第一寄存器单元并行接收。第二寄存器单元从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118248192A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311410105.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 孙钟弼
IPC: G11C11/4096 , G11C29/00
Abstract: 提供了存储器系统、存储器装置的操作方法以及存储器装置。该存储器系统包括多个堆叠的存储器裸芯。多个存储器裸芯中的每一个包括连接到第一通道的第一存储器装置和连接到第二通道的第二存储器装置。在镜像模式下，当第一存储器装置对写入数据执行第一写入操作时，第二存储器装置对写入数据执行第二写入操作。
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公开(公告)号：CN117437947A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310747571.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 孙钟弼
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括第一行和第二行的第一存储器单元阵列；以及自刷新电路，被配置为响应于第一自刷新进入信号来控制刷新，并且响应于自刷新退出信号在刷新第一行之后停止对第二行的刷新。
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公开(公告)号：CN110675904B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910417613.8
申请日：2019-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 孙钟弼
IPC: G11C11/4094
Abstract: 包括连接到多个字线的多个存储器单元的存储器设备的操作方法，该操作方法包括：从外部设备接收第一激活命令，在接收第一激活命令之后从外部设备接收至少一个操作命令，在接收至少一个操作命令之后接收预充电命令，并且在接收预充电命令之后从外部设备接收第二激活命令。当至少一个操作命令不包括写入命令时，在从接收预充电命令的时间起经过第一预充电参考时间之后接收第二激活命令。当至少一个操作命令包括写入命令时，在从接收预充电命令的时间起经过第二预充电参考时间之后接收第二激活命令。
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公开(公告)号：CN108336058B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201711275800.4
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 孙钟弼
IPC: H01L23/525 , H01L27/112 , H01L27/115
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：半导体基底，具有由器件隔离层限定的第一导电类型的有源区；第一杂质区，位于有源区中；反熔丝栅电极，位于半导体基底上，并且横跨第一杂质区延伸；反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与第一杂质区之间；选择栅电极，位于半导体基底上，并且横跨有源区延伸；选择栅极电介质层，位于选择栅电极与有源区之间；以及第二杂质区，位于选择栅电极与反熔丝栅电极之间的有源区中。第一杂质区和第二杂质区具有第二导电类型的杂质。第一杂质区具有小于第二杂质区的杂质浓度的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN108108123A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710873442.0
申请日：2017-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F12/1009 , G06F2212/1008 , G06F2212/1024 , G06F2212/65 , G06F2212/657 , G11C7/1066 , G11C29/42 , Y02D10/13 , G06F3/0614 , G06F3/065 , G06F3/0679
Abstract: 公开了一种用于管理存储器的方法和设备。一种管理存储器的方法包括：通过对齐存储器的多个页面来产生页面池；当接收到用于存储第一数据的请求时，使用所述页面池来分配与第一数据相应的目标页面；使用关于分配的目标页面的信息来更新页面表格。
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