公开(公告)号：CN110323206B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201910246824.X

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 詹瞻 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种测试元件组包括：测试元件，该测试元件包括在第一节点与第二节点之间串联连接的多个测试晶体管，其中第二节点连接到地节点；第一晶体管，连接在第一节点与电源节点之间；以及第二晶体管，被配置为生成与第一节点处的电压成比例的输出电流，并且连接到第一节点和电源节点。

公开(公告)号：CN110620056B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201910192150.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔芝影 ,  詹瞻 ,  金敏燮 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括：在基底的有源区上形成有源鳍，所述有源鳍在第一方向上延伸；在有源鳍上形成栅极结构，所述栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；在栅极结构的相对侧处的有源鳍的对应部分上形成源极/漏极层；形成电连接到源极/漏极层的布线；以及施加电压以测量源极/漏极层之间的漏电流。可以在有源区上形成仅一个或两个有源鳍。可以在有源鳍上形成仅一个或两个栅极结构。

公开(公告)号：CN110620056A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910192150.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔芝影 ,  詹瞻 ,  金敏燮 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括：在基底的有源区上形成有源鳍，所述有源鳍在第一方向上延伸；在有源鳍上形成栅极结构，所述栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；在栅极结构的相对侧处的有源鳍的对应部分上形成源极/漏极层；形成电连接到源极/漏极层的布线；以及施加电压以测量源极/漏极层之间的漏电流。可以在有源区上形成仅一个或两个有源鳍。可以在有源鳍上形成仅一个或两个栅极结构。

公开(公告)号：CN110323206A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910246824.X

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 詹瞻 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种测试元件组包括：测试元件，该测试元件包括在第一节点与第二节点之间串联连接的多个测试晶体管，其中第二节点连接到地节点；第一晶体管，连接在第一节点与电源节点之间；以及第二晶体管，被配置为生成与第一节点处的电压成比例的输出电流，并且连接到第一节点和电源节点。

公开(公告)号：CN111192867A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910693225.2

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳哉 ,  金洲铉

IPC: H01L23/544

Abstract: 本发明涉及一种测试图案组和包括其的半导体器件。该测试图案组包括多个测试图案。所述多个测试图案的每个包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组和第二鳍状物组，第一鳍状物组和第二鳍状物组的每个包括分别在基板的第一区域和基板的第二区域上延伸的鳍状物；第一栅极结构和第二栅极结构，每个分别位于第一鳍状物组和第二鳍状物组上并且形成为与第一鳍状物组和第二鳍状物组的鳍状物交叉；形成在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；形成在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；形成在第一栅极结构上的第一栅极接触；形成在第二栅极结构上的第二栅极接触。第一鳍状物组中包括的鳍状物的数量多于第二鳍状物组中包括的鳍状物的数量。