公开(公告)号：CN118841404A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202311458419.7

申请日：2023-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜德昇 ,  权相德 ,  金奇范

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：半导体衬底；沟道图案，在半导体衬底的第一表面上；源/漏图案，在半导体衬底的第一表面上并且在沟道图案的两侧上；接触电极，电连接到源/漏图案；下布线结构，在半导体衬底的第二表面上；以及通孔，贯穿半导体衬底，并且将接触电极和下布线结构彼此连接。下布线结构可以包括连接到第一电压的第一金属线、连接到第二电压的第二金属线、以及与第一金属线和第二金属线之一电连接的辅助电极。辅助电极可以与第一金属线和第二金属线中的另一金属线重叠并与其绝缘。

公开(公告)号：CN119521789A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411039919.1

申请日：2024-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜德昇 ,  权相德 ,  金奇范 ,  李昇宰

IPC: H10D89/60 ,  H10D84/40 ,  H10D8/00 ,  H10D84/03

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及二极管结构，包括：上半导体层，设置在衬底的第一表面上，并且包括第一导电类型的第一掺杂剂；下半导体层，设置在衬底的第二表面上，并且包括与第一导电类型不同的第二导电类型的第二掺杂剂；第一阱区，设置在衬底的位于上半导体层与下半导体层之间的部分中，其中，第一阱区与上半导体层或下半导体层接触。

公开(公告)号：CN118969794A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410173494.7

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜德昇 ,  权相德 ,  金奇范

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；鳍型有源区域，在第一方向上从基底的第一表面延伸；沟道结构，在鳍型有源区域的上表面上，并且包括沟道区域；源极/漏极区域，在鳍型有源区域的上表面上；栅极线，在基底上沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，设置在基底上，并且围绕沟道结构；以及隔离结构，竖直穿过基底和鳍型有源区域，并且位于源极/漏极区域的一侧，其中，沟道结构、源极/漏极区域和隔离结构在第一方向上顺序地布置。