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公开(公告)号：CN119947170A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410510820.9
申请日：2024-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件可以包括：第一、第二和第三源/漏图案，第一和第三源/漏图案之间的半导体图案，与半导体图案接触的栅极介电层，与栅极介电层接触的栅电极，位于第一和第二源/漏图案之间的阻挡半导体图案，与阻挡半导体图案接触的阻挡介电层，以及与阻挡介电层接触的阻挡电极。阻挡介电层可以包括与第一源/漏图案和第二源/漏图案接触的第一层，与阻挡电极接触的第二层以及位于第一层和第二层之间的第三层。第三层的介电材料可以不同于第一层和第二层的介电材料。
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