公开(公告)号：CN1841742A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610051486.7

申请日：2006-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴明焕 ,  姜熙晟 ,  柳忠烈

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/08 ,  H01L29/8605

Abstract: 本发明提供了一种包括电阻器的半导体装置及其制备方法，该半导体装置包括设置在半导体衬底中以定义相互间隔的至少两个有源区的隔离绝缘层。阱电阻器图形设置在所述隔离绝缘层的下面以连接所述有源区。上电阻器图形设置在所述隔离绝缘层上位于所述有源区之间。电阻器连接器电连接所述有源区中选出的一个与所述上电阻器图形，使得所述阱电阻器图形和所述上电阻器图形串联连接。

公开(公告)号：CN1585128A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410057661.4

申请日：2004-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴明焕 ,  高荣健

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种具有能保证接触阈量硅化物层的高度集成半导体器件及制造该高度集成半导体器件的方法。该高度集成半导体器件包括在半导体衬底上形成一栅极。在栅极两侧上的半导体衬底的预定上部中形成一源极区和一漏极区，使源极区和漏极区的每一个都含有一轻掺杂漏极(LDD)区和一重掺杂区。在栅极、源极区和漏极区上形成一硅化物层。该硅化物层具有一起电阻接触作用的足够厚度并且形成于源极区和漏极区的每一个的LDD区和重掺杂区上。

公开(公告)号：CN100431152C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200410057661.4

申请日：2004-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴明焕 ,  高荣健

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种具有能保证接触阈量硅化物层的高度集成半导体器件及制造该高度集成半导体器件的方法。该高度集成半导体器件包括在半导体衬底上形成一栅极。在栅极两侧上的半导体衬底的预定上部中形成一源极区和一漏极区，使源极区和漏极区的每一个都含有一轻掺杂漏极(LDD)区和一重掺杂区。在栅极、源极区和漏极区上形成一硅化物层。该硅化物层具有一起电阻接触作用的足够厚度并且形成于源极区和漏极区的每一个的LDD区和重掺杂区上。