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公开(公告)号：CN1841742A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610051486.7
申请日：2006-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/08 , H01L29/8605
Abstract: 本发明提供了一种包括电阻器的半导体装置及其制备方法，该半导体装置包括设置在半导体衬底中以定义相互间隔的至少两个有源区的隔离绝缘层。阱电阻器图形设置在所述隔离绝缘层的下面以连接所述有源区。上电阻器图形设置在所述隔离绝缘层上位于所述有源区之间。电阻器连接器电连接所述有源区中选出的一个与所述上电阻器图形，使得所述阱电阻器图形和所述上电阻器图形串联连接。
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