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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN114497068A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110973142.6

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈在龙 , 郑基容 , 吴东植 , 韩智勋

IPC: H01L27/11573

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括包含第一有源区、第二有源区和隔离区的基底。隔离层图案填充位于基底中的沟槽。第一栅极绝缘层图案和第一栅电极结构形成在第一有源区上。第二栅极绝缘层图案和第二栅电极结构形成在第二有源区上。第一栅电极结构包括第一多晶硅图案、第二多晶硅图案和第一金属图案。第二栅电极结构包括第三多晶硅图案、第四多晶硅图案和第二金属图案。隔离层图案的上表面高于第一多晶硅图案和第三多晶硅图案中的每个的上表面。第一多晶硅图案和第三多晶硅图案中的每个的侧壁接触隔离层图案的侧壁。

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