公开(公告)号：CN101154629A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153174.1

申请日：2007-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞佑 ,  文永俊 ,  慎烘縡 ,  李来寅

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其包括：第一应力膜，其覆盖第一晶体管区以及界面区的第三栅电极的至少一部分；第二应力膜，其覆盖第二晶体管区并与所述界面区的第三栅电极上的第一应力膜的至少一部分重叠；以及形成于所述第一和第二应力膜上的层间绝缘膜。所述半导体器件还包括：穿过所述第一晶体管区内的层间绝缘膜和第一应力膜形成的多个第一接触孔；穿过所述第二晶体管区内的层间绝缘膜和第二应力膜形成的多个第二接触孔；以及穿过所述界面区内的层间绝缘膜、第二应力膜和第一应力膜形成的第三接触孔。其中形成了所述第三接触孔的所述第三栅电极的上侧的凹陷部分的深度大于或等于其中形成了所述第一接触孔的所述第一栅电极的上侧的凹陷部分的深度。

公开(公告)号：CN101154629B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200710153174.1

申请日：2007-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞佑 ,  文永俊 ,  慎烘縡 ,  李来寅

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其包括：第一应力膜，其覆盖第一晶体管区以及界面区的第三栅电极的至少一部分；第二应力膜，其覆盖第二晶体管区并与所述界面区的第三栅电极上的第一应力膜的至少一部分重叠；以及形成于所述第一和第二应力膜上的层间绝缘膜。所述半导体器件还包括：穿过所述第一晶体管区内的层间绝缘膜和第一应力膜形成的多个第一接触孔；穿过所述第二晶体管区内的层间绝缘膜和第二应力膜形成的多个第二接触孔；以及穿过所述界面区内的层间绝缘膜、第二应力膜和第一应力膜形成的第三接触孔。其中形成了所述第三接触孔的所述第三栅电极的上侧的凹陷部分的深度大于或等于其中形成了所述第一接触孔的所述第一栅电极的上侧的凹陷部分的深度。