公开(公告)号：CN115707235A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210849101.0

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑星真 ,  朴硕汉 ,  鲜于艺智 ,  刘宝元 ,  孙英雄

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：单元晶体管，位于基底上；下电极，分别连接到单元晶体管，在第一水平方向上按照第一节距布置，并且在竖直方向上延伸；以及蚀刻停止层，围绕下电极的下侧壁并且布置在比单元晶体管的水平高的水平处，其中，蚀刻停止层包括与下电极竖直地叠置的第一部分和横向地围绕第一部分的第二部分，并且第二部分包括在第一水平方向上按照第二节距布置的凹陷。

公开(公告)号：CN118678698A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410189715.X

申请日：2024-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤根 ,  朴硕汉 ,  刘宝元 ,  李基硕 ,  韩珍优

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10B61/00

Abstract: 一种半导体存储器件，其包括：在基板上的外围栅极结构；在外围栅极结构上的第一接合焊盘；在第一接合焊盘上的屏蔽导电图案；位于屏蔽导电图案与第一接合焊盘之间并且接触第一接合焊盘的第二接合焊盘；在屏蔽导电图案上沿第一方向延伸的位线；在所述位线上的有源图案，并且该有源图案包括下表面和上表面以及在第一方向上彼此相反的第一侧壁和第二侧壁，该有源图案的下表面连接到位线；位于有源图案的第一侧壁上并且在第三方向上延伸的字线；以及位于有源图案上的数据存储图案，并且该数据存储图案连接到有源图案的上表面。

公开(公告)号：CN116936474A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310323742.7

申请日：2023-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴硕汉 ,  刘宝元 ,  申贤叙 ,  李基硕 ,  郑文泳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/552

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在衬底中形成多个第一沟槽。形成多个第一填充层，多个第一填充层填充第一沟槽并具有延伸以从衬底突出的突出部。在第一填充层的突出部的侧壁上形成间隔物。间隔物暴露衬底的在相邻的第一填充层之间的部分。通过蚀刻衬底的由间隔物暴露的部分，在第一沟槽周围形成多个第二沟槽。形成填充第二沟槽的多个第二填充层。去除所有的第一填充层和间隔物。形成共形地覆盖第一沟槽的内壁的栅材料层。通过分离栅材料层在每个第一沟槽中形成一对栅结构。

公开(公告)号：CN118742030A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410208467.9

申请日：2024-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  李泓浚 ,  崔贤根 ,  金根楠 ,  南仁哲 ,  刘宝元 ,  韩珍优

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：下衬底；存储单元结构，包括：字线，在下衬底上；位线，设置在下衬底上并且与字线交叉；以及单元电容器，连接到下衬底；上衬底，具有与下衬底相邻的后侧以及与后侧相对的前侧；电路元件，设置在上衬底的前侧上，并且在竖直方向上与存储单元结构重叠；以及通孔，穿透上衬底，并且将存储单元结构和电路元件彼此电连接。

公开(公告)号：CN118742029A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410164971.3

申请日：2024-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘宝元 ,  朴硕汉 ,  李基硕 ,  崔贤根 ,  韩珍优

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 一种具有改进的集成和电特性的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：外围栅极结构；第一外围连接结构，其位于所述外围栅极结构上；数据存储图案，其位于所述第一外围连接结构上；有源图案，其包括在第一方向上彼此相反的第一表面和第二表面以及在第二方向上彼此相反的第一侧壁和第二侧壁，所述有源图案的第一表面连接到所述数据存储图案并面向基板；位线，其位于所述有源图案上、连接到所述有源图案的所述第二表面、并在所述第二方向上延伸；字线，其位于所述有源图案的第一侧壁上并在第三方向上延伸；第二外围连接结构，其连接到所述位线；以及连接焊盘，其连接到所述第二外围连接布线。

公开(公告)号：CN118613050A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410216519.7

申请日：2024-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤根 ,  李基硕 ,  金根楠 ,  朴硕汉 ,  刘宝元 ,  韩珍优

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：有源图案，位于第一基板上并且包括在第一方向上彼此相反的第一表面和第二表面；数据存储图案，位于所述有源图案与所述第一基板之间并且连接到所述有源图案的所述第一表面；位线，位于所述有源图案上，连接到所述有源图案的所述第二表面，并且在第二方向上延伸；字线，位于所述有源图案的侧壁上；第二基板；外围栅极结构，位于所述第二基板的第一表面上；第一连接布线结构，位于所述第二基板的所述第一表面上并且连接到所述外围栅极结构和所述位线；第二连接布线结构，位于所述第二基板的第二表面上；以及贯通通路，穿透所述第二基板并且连接所述第一连接布线结构和所述第二连接布线结构。

公开(公告)号：CN117135914A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310408932.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴硕汉 ,  李基硕 ,  申硕浩 ,  崔贤根 ,  刘宝元

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体器件包括在衬底上的位线结构。每个位线结构沿第二方向延伸，并且位线结构在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还包括在位线结构中的每一个上在第二方向上彼此间隔开的半导体图案、半导体图案中的在第一方向上相邻的半导体图案之间的层间绝缘图案、以及在位线结构上在第二方向上彼此间隔开的字线。每条字线邻近半导体图案沿第一方向延伸。半导体器件还包括分别设置在半导体图案上并电连接到半导体图案的电容器。沿第二方向延伸的接缝形成在层间绝缘图案中的每一个中。