公开(公告)号：CN100495648C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610149294.X

申请日：2006-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑永天 ,  权喆纯 ,  俞在玟 ,  朴在铉 ,  林智云 ,  尹仁丘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543 ,  H01L29/42324

Abstract: 在制造非易失性存储器件的方法中，在基底上形成第一栅绝缘层及导电层，然后部分氧化该导电层形成氧化层图案。通过利用氧化层图案作为蚀刻掩模部分蚀刻该导电层以在第一栅绝缘层上形成浮置栅电极，然后在包括浮置栅电极的基底上形成硅层。氧化该硅层，以在浮置栅电极的侧壁上以及邻近该浮置栅电极的基底的表面部分形成隧道绝缘层和第二栅绝缘层；然后在该隧道绝缘层及该第二栅绝缘层上形成控制栅电极。本发明可以抑制在形成隧道氧化层的热氧化工艺中发生在浮置栅电极上的浮置栅电极的端头轮廓的变化和栅绝缘层的厚度变化。因此，可以改进非易失性存储器件的的数据擦除特征和数据编程特征。

公开(公告)号：CN1945798A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610149294.X

申请日：2006-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑永天 ,  权喆纯 ,  俞在玟 ,  朴在铉 ,  林智云 ,  尹仁丘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543 ,  H01L29/42324

Abstract: 在制造非易失性存储器件的方法中，在基底上形成第一栅绝缘层及导电层，然后部分氧化该导电层形成氧化层图案。通过利用氧化层图案作为蚀刻掩模部分蚀刻该导电层以在第一栅绝缘层上形成浮置栅电极，然后在包括浮置栅电极的基底上形成硅层。氧化该硅层，以在浮置栅电极的侧壁上以及邻近该浮置栅电极的基底的表面部分形成隧道绝缘层和第二栅绝缘层；然后在该隧道绝缘层及该第二栅绝缘层上形成控制栅电极。本发明可以抑制在形成隧道氧化层的热氧化工艺中发生在浮置栅电极上的浮置栅电极的端头轮廓的变化和栅绝缘层的厚度变化。因此，可以改进非易失性存储器件的数据擦除特征和数据编程特征。