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发明公开
三维集成电路结构及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116137264A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211432855.2

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄帝官 , 金知炯 , 安正勋 , 吴在熙 , 丁少锋 , 朴媛智 , 张宇珹 , 洪踢俊

IPC: H01L23/538 , H01L25/065

Abstract: 一种三维集成电路结构包括：第一管芯，包括第一电力输送网络、第一基板、第一器件层和第一金属层；在第一管芯上的第二管芯，第二管芯包括第二电力输送网络、第二基板、第二器件层和第二金属层；第一贯通电极，从第一电力输送网络延伸到第一金属层的顶表面；在第一贯通电极上的第一凸块；以及焊盘，第二电力输送网络包括向第二器件层传输电力的下部线，焊盘连接到下部线中的最下面的一条，第一凸块插设在第一贯通电极和焊盘之间并且连接第一贯通电极和焊盘，第一电力输送网络通过第一凸块和第一贯通电极电连接到第二电力输送网络。

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