公开(公告)号：CN111128954B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201911035178.9

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴桭胡 ,  方镛胜 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的第二电极；在第一电极和第二电极之间的第一电介质层；在第二电极上的第三电极；在第二电极和第三电极之间的第二电介质层；以及穿透第三电极并接触第一电极的第一接触插塞，第一接触插塞接触第三电极的顶表面和第三电极的侧表面。

公开(公告)号：CN111128954A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911035178.9

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴桭胡 ,  方镛胜 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的第二电极；在第一电极和第二电极之间的第一电介质层；在第二电极上的第三电极；在第二电极和第三电极之间的第二电介质层；以及穿透第三电极并接触第一电极的第一接触插塞，第一接触插塞接触第三电极的顶表面和第三电极的侧表面。

公开(公告)号：CN119786482A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202410858606.2

申请日：2024-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权渡玹 ,  金善佑 ,  朴钟和 ,  方镛胜 ,  李在宪

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开提供了包括贯穿通路和布线层的半导体器件。所述半导体器件包括：半导体衬底；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述半导体衬底的第一表面上；贯穿通路，所述贯穿通路穿过所述半导体衬底和所述第一绝缘层两者；保护阻挡壁图案，所述保护阻挡壁图案设置在所述第一绝缘层内和所述贯穿通路的侧壁上；第一布线结构，所述第一布线结构设置在所述第一绝缘层内并且包括第一通路部分和第一布线部分；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层的上表面上并且至少部分地覆盖所述第一布线结构的上表面和所述保护阻挡壁图案的上表面。

公开(公告)号：CN111883510A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010294116.6

申请日：2020-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴桭胡 ,  丁少锋 ,  方镛胜 ,  安正勋

IPC: H01L23/525 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板；第一电极，包括第一孔；第一电介质层，在第一电极的上表面上和在第一孔的内表面上；第二电极，在第一电介质层上；第二电介质层，在第二电极上；第三电极，在第二电介质层上并包括第二孔；以及第一接触插塞，延伸穿过第二电极和第二电介质层并延伸穿过第一孔和第二孔。第一接触插塞的侧壁脱离与第一孔的侧壁和第二孔的侧壁的直接接触，并具有与第二电极的上表面相邻定位的台阶部分。