公开(公告)号：CN110625530B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201910536195.4

申请日：2019-06-20

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 姜胜培 ,  裵俊和 ,  梁熙星 ,  曺雨辰 ,  秋秉权

IPC: B24B57/02 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B27/00

Abstract: 提供了基板抛光设备。基板抛光设备包括台、按压单元、旋转单元、多个抛光垫和喷嘴部分，其中：台配置成装载基板，台具有平行于第一方向和第二方向的平坦表面，且基板装载在平坦表面上；按压单元配置成在第三方向上于基板上施加压力；旋转单元配置成使按压单元在平面图中观察时围绕平行于第三方向的中心轴绕转；多个抛光垫设置在按压单元与基板之间以与基板接触；以及喷嘴部分配置成将浆料供应到基板上。抛光垫可以在一个方向上彼此间隔开并且可以在平面图中具有矩形形状。

公开(公告)号：CN107731852B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201710690882.2

申请日：2017-08-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 裵俊和 ,  秋秉权 ,  姜秉薰 ,  曺雨辰 ,  赵玹辰 ,  千俊赫 ,  李智炫

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H10K71/00 ,  H01L21/77

Abstract: 一种制造晶体管显示面板的方法以及晶体管显示面板，所述方法包括在基板上形成多晶硅层；通过图案化所述多晶硅层形成有源层；形成覆盖所述基板和所述有源层的第一绝缘层；通过使用抛光装置抛光所述第一绝缘层来暴露所述有源层；以及形成接触所述第一绝缘层和所述有源层的第二绝缘层，其中通过抛光所述第一绝缘层来暴露所述有源层包括在所述第一绝缘层的表面上涂布第一浆料，所述第一浆料降低所述有源层的抛光速率。

公开(公告)号：CN109801843A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201810631604.4

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 赵玹辰 ,  裵俊和 ,  秋秉权 ,  姜胜培 ,  梁熙星 ,  曹雨辰

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种去除激光晶化突起的装置，根据一实施例的去除激光晶化突起的装置包括：第一旋转板，布置有包括多晶硅层的显示面板；第二旋转板，与所述第一旋转板相向，并研磨所述多晶硅层的激光晶化突起；研磨监视部，与所述第二旋转板连接，并与所述第二旋转板一起旋转；以及分光器，连接于所述研磨监视部。

公开(公告)号：CN109801843B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201810631604.4

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 赵玹辰 ,  裵俊和 ,  秋秉权 ,  姜胜培 ,  梁熙星 ,  曹雨辰

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种去除激光晶化突起的装置，根据一实施例的去除激光晶化突起的装置包括：第一旋转板，布置有包括多晶硅层的显示面板；第二旋转板，与所述第一旋转板相向，并研磨所述多晶硅层的激光晶化突起；研磨监视部，与所述第二旋转板连接，并与所述第二旋转板一起旋转；以及分光器，连接于所述研磨监视部。

公开(公告)号：CN114156320A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111049887.X

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 秋秉权 ,  姜胜培 ,  姜奉求 ,  金泰俊 ,  朴廷敏 ,  裵俊和 ,  梁熙星 ,  曹雨辰

IPC: H01L27/32

Abstract: 本申请提供了显示装置的制造方法。根据实施方式的显示装置包括：基板；设置在基板上的晶体管；设置在基板上且连接到晶体管的发光二极管；和设置在晶体管和发光二极管之间的钝化层，其中钝化层的表面台阶在1nm至30nm的范围内。

公开(公告)号：CN110317538A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910183579.2

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星显示有限公司 ,  优备材料有限公司

Inventor： 赵玹辰 ,  裵俊和 ,  秋秉权 ,  曹雨辰 ,  朴珍亨

IPC: C09G1/02 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明涉及抛光浆料和使用抛光浆料抛光基板的方法。抛光浆料包括研磨材料、第一氧化物抛光促进剂、第一氮化物抛光抑制剂和第二氮化物抛光抑制剂。该第一氧化物抛光促进剂包括聚合物类氧化物抛光促进剂。该第一氮化物抛光抑制剂包括阴离子氮化物抛光抑制剂。该第二氮化物抛光抑制剂包括选自阳离子氮化物抛光抑制剂和非离子氮化物抛光抑制剂中的至少一种。

公开(公告)号：CN109087920A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810605594.7

申请日：2018-06-13

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 秋秉权 ,  裵俊和 ,  赵玹辰 ,  千俊赫 ,  尹智莲 ,  曹雨辰 ,  崔成焕 ,  崔贞惠

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底、包括其的显示装置及制造其的方法。该TFT阵列基底包括基础基底、设置在基础基底上的半导体层、设置在半导体层上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极。绝缘层的在基础基底的平面图中与半导体层叠置的部分的顶表面同栅电极的顶表面被设置在同一水平上。

公开(公告)号：CN109087920B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201810605594.7

申请日：2018-06-13

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 秋秉权 ,  裵俊和 ,  赵玹辰 ,  千俊赫 ,  尹智莲 ,  曹雨辰 ,  崔成焕 ,  崔贞惠

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H10K59/12

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底、包括其的显示装置及制造其的方法。该TFT阵列基底包括基础基底、设置在基础基底上的半导体层、设置在半导体层上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极。绝缘层的在基础基底的平面图中与半导体层叠置的部分的顶表面同栅电极的顶表面被设置在同一水平上。

公开(公告)号：CN116096151A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211272736.5

申请日：2022-10-18

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 梁熙星 ,  裵俊和

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/122 ,  H10K59/123 ,  H10K71/00

Abstract: 公开了显示装置和提供显示装置的方法。显示装置包括发光元件、覆盖发光元件的封装层、位于封装层上并且包括与发光元件对应的开口的坝以及位于坝的开口中的量子点层。量子点层的最靠近封装层的下表面的粗糙度不同于量子点层的最远离封装层的上表面的粗糙度。

公开(公告)号：CN116033790A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211224574.8

申请日：2022-10-09

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 梁熙星 ,  裵俊和 ,  申琇景 ,  曺雨辰

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/122 ,  H10K59/123 ,  H10K59/131

Abstract: 在本发明的一实施例涉及的包括发光区域以及与发光区域相邻的不发光区域的显示面板中，显示面板包括：发光元件，包括第一电极、配置在第一电极上的发光层以及配置在发光层上的第二电极；像素定义膜，定义有使第一电极露出的第一开口部；以及第一封装层，配置在第二电极上且与发光元件重叠，第一封装层包括配置在第二电极上的第一无机层以及配置在第一无机层上的第二无机层，第二电极的上表面包括至少一个第一高低差部，第二无机层的下表面与第一无机层的上表面接触，第一无机层的上表面和第二无机层的上表面之中的至少一个是平坦面。