公开(公告)号：CN109087920A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810605594.7

申请日：2018-06-13

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 秋秉权 ,  裵俊和 ,  赵玹辰 ,  千俊赫 ,  尹智莲 ,  曹雨辰 ,  崔成焕 ,  崔贞惠

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底、包括其的显示装置及制造其的方法。该TFT阵列基底包括基础基底、设置在基础基底上的半导体层、设置在半导体层上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极。绝缘层的在基础基底的平面图中与半导体层叠置的部分的顶表面同栅电极的顶表面被设置在同一水平上。

公开(公告)号：CN110137218A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910106409.4

申请日：2019-02-02

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李镕守 ,  崔成焕 ,  梁成勋 ,  阮成进 ,  车明根

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明构思涉及一种显示设备，所述显示设备包括：基体基底；导电层，所述导电层设置在所述基体基底上以覆盖整个所述基体基底，其中，所述导电层被配置为被施加接地电压；缓冲层，所述缓冲层设置在所述导电层上；有源图案，所述有源图案包括漏区、源区以及在所述漏区和所述源区之间的沟道区；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述有源图案上；栅极图案，所述栅极图案设置在所述第一绝缘层上并且包括与所述有源图案的所述沟道区重叠的栅电极；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅极图案上；以及数据图案，所述数据图案包括电连接到所述有源图案的所述源区的源电极和电连接到所述有源图案的所述漏区的漏电极。

公开(公告)号：CN109087920B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201810605594.7

申请日：2018-06-13

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 秋秉权 ,  裵俊和 ,  赵玹辰 ,  千俊赫 ,  尹智莲 ,  曹雨辰 ,  崔成焕 ,  崔贞惠

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H10K59/12

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底、包括其的显示装置及制造其的方法。该TFT阵列基底包括基础基底、设置在基础基底上的半导体层、设置在半导体层上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极。绝缘层的在基础基底的平面图中与半导体层叠置的部分的顶表面同栅电极的顶表面被设置在同一水平上。

公开(公告)号：CN110137218B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201910106409.4

申请日：2019-02-02

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李镕守 ,  崔成焕 ,  梁成勋 ,  阮成进 ,  车明根

IPC: H10K59/131

Abstract: 本发明构思涉及一种显示设备，所述显示设备包括：基体基底；导电层，所述导电层设置在所述基体基底上以覆盖整个所述基体基底，其中，所述导电层被配置为被施加接地电压；缓冲层，所述缓冲层设置在所述导电层上；有源图案，所述有源图案包括漏区、源区以及在所述漏区和所述源区之间的沟道区；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述有源图案上；栅极图案，所述栅极图案设置在所述第一绝缘层上并且包括与所述有源图案的所述沟道区重叠的栅电极；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅极图案上；以及数据图案，所述数据图案包括电连接到所述有源图案的所述源区的源电极和电连接到所述有源图案的所述漏区的漏电极。