公开(公告)号：CN100377306C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200510071276.X

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 申铉敏 ,  李惠龙 ,  李昌浩 ,  金贤锡 ,  金政敦 ,  孔善焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 在950到1100℃的温度范围内并且以30到300μm/hr的速度在单晶r-面蓝宝石衬底上氢化物气相外延(HVPE)生长a-面氮化物半导体膜，可以快速且有效地制备无空隙、翘曲或裂纹的单晶a-面氮化物半导体晶圆。

公开(公告)号：CN1958887A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610150276.3

申请日：2006-10-18

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 申铉敏 ,  李起秀

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S3/16

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/02

Abstract: 一种单晶a－平面氮化物半导体晶片，其包括在结晶生长方向上的1－3个定向平面，其中a－平面({11－20}平面)形成为主平面。由于可以容易地识别平面定向，因而当在氮化物半导体晶片上形成半导体器件时可以改善精确度。

公开(公告)号：CN1702836A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510071276.X

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 申铉敏 ,  李惠龙 ,  李昌浩 ,  金贤锡 ,  金政敦 ,  孔善焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 在950到1100℃的温度范围内并且以30到300μm/hr的速度在单晶r－面蓝宝石衬底上氢化物气相外延(HVPE)生长a－面氮化物半导体膜，可以快速且有效地制备无空隙、翘曲或裂纹的单晶a－面氮化物半导体晶圆。