公开(公告)号：CN100377306C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200510071276.X

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 申铉敏 ,  李惠龙 ,  李昌浩 ,  金贤锡 ,  金政敦 ,  孔善焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 在950到1100℃的温度范围内并且以30到300μm/hr的速度在单晶r-面蓝宝石衬底上氢化物气相外延(HVPE)生长a-面氮化物半导体膜，可以快速且有效地制备无空隙、翘曲或裂纹的单晶a-面氮化物半导体晶圆。

公开(公告)号：CN1702836A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510071276.X

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 申铉敏 ,  李惠龙 ,  李昌浩 ,  金贤锡 ,  金政敦 ,  孔善焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 在950到1100℃的温度范围内并且以30到300μm/hr的速度在单晶r－面蓝宝石衬底上氢化物气相外延(HVPE)生长a－面氮化物半导体膜，可以快速且有效地制备无空隙、翘曲或裂纹的单晶a－面氮化物半导体晶圆。