公开(公告)号：CN1824691A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510119169.X

申请日：2005-11-24

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 宣钟白 ,  申铉振 ,  郑铉潭 ,  金知晚

IPC: C08J5/18 ,  B05D5/02 ,  C08L83/04

CPC classification number: C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明公开一种制备低介电常数的介孔薄膜的方法，它包括混合环状硅氧烷类单体、有机溶剂、酸催化剂或碱催化剂和水，来制备涂覆溶液，然后将该涂覆溶液施涂在基片上并热固化。本发明的介孔薄膜显示出包括硬度和弹性模量的优异物理性能，并具有2.5或更低的低介电常数，因此，容易用于制造半导体。

公开(公告)号：CN1854334A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510129146.7

申请日：2005-08-30

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 申铉振 ,  郑铉潭 ,  崔致圭

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C23C16/401 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  Y10T428/31663

Abstract: 在此公开了一种制备介电膜的方法。根据该方法，通过将双有机硅氧烷前体通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积到晶片上制备了介电膜。由于通过该方法制备的介电膜具有低介电常数并且显示出较好的机械性能，例如弹性模量和硬度，因而所述介电膜可用作用于双镶嵌铜互连用半导体器件的层间介电膜或用作半导体和显示器件用钝化层。