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公开(公告)号:CN1824691A
公开(公告)日:2006-08-30
申请号:CN200510119169.X
申请日:2005-11-24
Applicant: 三星康宁株式会社
CPC classification number: C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695
Abstract: 本发明公开一种制备低介电常数的介孔薄膜的方法,它包括混合环状硅氧烷类单体、有机溶剂、酸催化剂或碱催化剂和水,来制备涂覆溶液,然后将该涂覆溶液施涂在基片上并热固化。本发明的介孔薄膜显示出包括硬度和弹性模量的优异物理性能,并具有2.5或更低的低介电常数,因此,容易用于制造半导体。