公开(公告)号：CN1854334A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510129146.7

申请日：2005-08-30

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 申铉振 ,  郑铉潭 ,  崔致圭

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C23C16/401 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  Y10T428/31663

Abstract: 在此公开了一种制备介电膜的方法。根据该方法，通过将双有机硅氧烷前体通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积到晶片上制备了介电膜。由于通过该方法制备的介电膜具有低介电常数并且显示出较好的机械性能，例如弹性模量和硬度，因而所述介电膜可用作用于双镶嵌铜互连用半导体器件的层间介电膜或用作半导体和显示器件用钝化层。