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公开(公告)号：CN103608924A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280018536.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。
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公开(公告)号：CN107635923A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033008.5
申请日：2016-07-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01M4/925 , B01J23/648 , B01J32/00 , C01G33/00 , C01G33/006 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , H01M4/86 , H01M4/8657 , H01M8/10 , H01M8/1004 , H01M8/1023 , H01M8/1039 , H01M2008/1095
Abstract: 本发明的氧化锡包含选自钽、钨、铌和铋中的至少一种元素A以及锑。选自钽、钨、铌和铋中的至少一种元素A以及锑优选以固溶在氧化锡中的状态存在。所述元素A的摩尔数与锑的摩尔数之比[所述元素A的摩尔数/锑的摩尔数]的值优选为0.1～10。
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公开(公告)号：CN106663819B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201580045126.3
申请日：2015-10-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M4/90 , H01M4/88 , H01M8/1004
Abstract: 燃料电池用电极催化剂层中，催化剂被担载于无机氧化物粒子的载体上，且具有多孔质结构。当通过汞压入法测定上述多孔质结构的细孔径分布时，在0.005μm以上且0.1μm以下的范围内观测到峰，并且在超过0.1μm且1μm以下的范围内也观察到峰。当将0.005μm以上且0.1μm以下的范围的峰强度设为P1，将超过0.1μm且1μm以下的范围的峰强度设为P2时，P2/P1的值为0.2以上且10以下。上述无机氧化物优选为锡氧化物。
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公开(公告)号：CN112424978B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980046914.2
申请日：2019-06-04
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M4/86 , H01M4/92 , H01M8/10 , H01M8/1004
Abstract: 本发明的课题在于提供能够有效地防止高电流密度区域中的电池电压降低的燃料电池用电极催化剂层。本发明的燃料电池用电极催化剂层包含：在由导电性无机氧化物形成的载体上负载有催化剂而成的催化剂负载载体；和亲水性材料。所述亲水性材料为具有导电性的亲水性粒子的聚集体。所述催化剂层中的所述亲水性材料的含量相对于所述载体和所述亲水性材料的合计为2质量％以上且不到20质量％。所述亲水性粒子的粒径d1相对于所述催化剂负载载体的粒径D的比率为0.5以上且3.0以下。所述亲水性材料的粒径d2相对于所述催化剂层的厚度T的比率为0.1以上且1.2以下。
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公开(公告)号：CN112424978A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046914.2
申请日：2019-06-04
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M4/86 , H01M4/92 , H01M8/10 , H01M8/1004
Abstract: 本发明的课题在于提供能够有效地防止高电流密度区域中的电池电压降低的燃料电池用电极催化剂层。本发明的燃料电池用电极催化剂层包含：在由导电性无机氧化物形成的载体上负载有催化剂而成的催化剂负载载体；和亲水性材料。所述亲水性材料为具有导电性的亲水性粒子的聚集体。所述催化剂层中的所述亲水性材料的含量相对于所述载体和所述亲水性材料的合计为2质量％以上且不到20质量％。所述亲水性粒子的粒径d1相对于所述催化剂负载载体的粒径D的比率为0.5以上且3.0以下。所述亲水性材料的粒径d2相对于所述催化剂层的厚度T的比率为0.1以上且1.2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663819A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580045126.3
申请日：2015-10-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M4/90 , H01M4/88 , H01M8/1004
Abstract: 燃料电池用电极催化剂层中，催化剂被担载于无机氧化物粒子的载体上，且具有多孔质结构。当通过汞压入法测定上述多孔质结构的细孔径分布时，在0.005μm以上且0.1μm以下的范围内观测到峰，并且在超过0.1μm且1μm以下的范围内也观察到峰。当将0.005μm以上且0.1μm以下的范围的峰强度设为P1，将超过0.1μm且1μm以下的范围的峰强度设为P2时，P2/P1的值为0.2以上且10以下。上述无机氧化物优选为锡氧化物。
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公开(公告)号：CN103608924B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280018536.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。
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公开(公告)号：CN103582953B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280006660.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
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公开(公告)号：CN103582953A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280006660.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
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公开(公告)号：CN102084015A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126788.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C22C21/00 , C23C14/185 , H01B1/023
Abstract: 本发明的目的在于提供具备适合于有机EL的柔软性、可与ITO等的透明电极层直接接合、对于显影液的耐蚀性良好的Al-Ni类合金布线电极材料。本发明采用在铝中包含镍和硼的Al-Ni类合金布线电极材料，镍和硼的总含量为0.35原子％～1.2原子％，其余部分由铝形成。此外，本发明的Al-Ni类合金布线电极材料较好是镍为0.3原子％～0.7原子％，硼为0.05原子％～0.5原子％。
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