公开(公告)号：CN101111368A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200680003737.2

申请日：2006-01-30

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 伊东祐一 ,  山本祐五 ,  齐藤公彦

IPC: B32B9/00

CPC classification number: C23C26/00 ,  B32B7/12 ,  B32B17/06 ,  B32B27/32 ,  B32B27/325 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2255/205 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/422 ,  B32B2457/20

Abstract: 本发明的接合方法是接合具有由有机高分子(A)形成的层(a1)的部件(a)、与含有具有特定官能团的化合物(B)的部件(b)的方法，通过设置在部件(a)的最外表面的至少一部分的由具有氮原子及氢原子的无机化合物(C)形成的层接合所述部件(a)与所述部件(b)，本发明的复合膜的第一方案为由层合体形成的复合膜，所述层合体具有由有机高分子(A)形成的层(a1)和由具有氮原子及氢原子的无机化合物(C)形成的层(c1)，最外表面的至少一部分由所述层(c1)形成；第二方案为由按照所述层(a1)、层(c1)及由粘合性树脂(B1)形成的层(b1)这样的顺序被配置而得到的层合体形成的复合膜，所述层(c1)和层(b1)直接层合；第三方案是由层合体形成的复合膜，所述层合体是按照所述层(a1)、层(c1)及透明导电层(d1)这样的顺序被配置得到的，所述复合膜的单面或两面的最外表面的一部分由所述层(c1)形成。

公开(公告)号：CN101111368B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200680003737.2

申请日：2006-01-30

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 伊东祐一 ,  山本祐五 ,  齐藤公彦

IPC: B32B9/00

CPC classification number: C23C26/00 ,  B32B7/12 ,  B32B17/06 ,  B32B27/32 ,  B32B27/325 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2255/205 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/422 ,  B32B2457/20

Abstract: 本发明的接合方法是接合具有由有机高分子(A)形成的层(a1)的部件(a)、与含有具有特定官能团的化合物(B)的部件(b)的方法，通过设置在部件(a)的最外表面的至少一部分的由具有氮原子及氢原子的无机化合物(C)形成的层接合所述部件(a)与所述部件(b)，本发明的复合膜的第一方案为由层合体形成的复合膜，所述层合体具有由有机高分子(A)形成的层(a1)和由具有氮原子及氢原子的无机化合物(C)形成的层(c1)，最外表面的至少一部分由所述层(c1)形成；第二方案为由按照所述层(a1)、层(c1)及由粘合性树脂(B1)形成的层(b1)这样的顺序被配置而得到的层合体形成的复合膜，所述层(c1)和层(b1)直接层合；第三方案是由层合体形成的复合膜，所述层合体是按照所述层(a1)、层(c1)及透明导电层(d1)这样的顺序被配置得到的，所述复合膜的单面或两面的最外表面的一部分由所述层(c1)形成。

公开(公告)号：CN1206782C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN01803280.X

申请日：2001-08-22

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 齐藤公彦 ,  和泉亮 ,  松村英树

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0282

Abstract: 在半导体衬底上层叠一包含一势阱层的半导体薄膜，半导体衬底及半导体薄膜被解理，在有加热的催化物质存在情况下，将通过解理获得的半导体衬底和半导体薄膜的解理面暴露在一种气氛中，该气氛是分解一种含N原子气体形成的，由此去除解理面的表面层并在该表面上形成氮化物层。随后在解理面上形成一种介质膜。根据上述技术，通过使用催化CVD装置，形成在解理表面上的自然氧化膜被去除，并且可形成一保护膜。

公开(公告)号：CN1394371A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN01803280.X

申请日：2001-08-22

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 齐藤公彦 ,  和泉亮 ,  松村英树

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0282

Abstract: 在半导体衬底上层叠一包含一势阱层的半导体薄膜，半导体衬底及半导体薄膜被解理，在有加热的催化物质存在情况下，将通过解理获得的半导体衬底和半导体薄膜的解理面暴露在一种气氛中，该气氛是分解一种含N原子气体形成的，由此去除解理面的表面层并在该表面上形成氮化物层。随后在解理面上形成一种介质膜。根据上述技术，通过使用催化CVD装置，形成在解理表面上的自然氧化膜被去除，并且可形成一保护膜。