场发射器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1257604A

    公开(公告)日:2000-06-21

    申请号:CN98805274.1

    申请日:1998-05-20

    CPC classification number: H01J9/025 H01J2201/30457 H01J2329/00

    Abstract: 用对衬底(704)进行腐蚀然后淀积膜(705)的工艺,制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的膜(碳和/或金刚石)。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用此工艺,避免了发射膜的图形化。用这种膜能够制造场发射器件。得到的场发射器件,其阴极具有未被腐蚀过的连续膜,因而具有优异的发射性质。阴极中的象素包括直接淀积在衬底上的发射膜,导体淀积在发射膜的一侧或更多侧上。在一个实施例中,发射体位于制作在导体层中的窗口中。

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