公开(公告)号：CN1257604A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN98805274.1

申请日：1998-05-20

Applicant: SI戴梦德技术公司

Inventor： 兹维·彦尼夫 ,  理查德·L·芬克 ,  芝丹·L·托尔特

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 用对衬底(704)进行腐蚀然后淀积膜(705)的工艺,制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的膜(碳和/或金刚石)。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用此工艺,避免了发射膜的图形化。用这种膜能够制造场发射器件。得到的场发射器件,其阴极具有未被腐蚀过的连续膜,因而具有优异的发射性质。阴极中的象素包括直接淀积在衬底上的发射膜,导体淀积在发射膜的一侧或更多侧上。在一个实施例中,发射体位于制作在导体层中的窗口中。

公开(公告)号：CN1260847A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN98805277.6

申请日：1998-05-20

Applicant: SI戴梦德技术公司

Inventor： 兹维·彦尼夫 ,  理查德·L·芬克 ,  芝丹·L·托尔特

IPC: C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  C30B29/04

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025

Abstract: 用对衬底(701)进行腐蚀然后淀积薄膜的工艺,制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的薄膜(705)(碳和/或金刚石)。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用此工艺,避免了发射膜的图形化。用这种膜能够制造场发射器件。也可以淀积金属膜(702),用光刻方法(703)进行图形化,并腐蚀(704)以制备成核位置。