公开(公告)号：CN1679131A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03819883.5

申请日：2003-08-20

Applicant: 赛得里姆显示器公司

Inventor： 西蒙·坎 ,  克雷格·贝 ,  金正宰

IPC: H01J1/05

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/952

Abstract: 一种平板显示器和用于形成基于碳纳米管的平板显示器的方法。在一个实施例中，平板显示器包括在催化剂层和电阻层之间形成的势垒层，且在该催化剂层上形成碳纳米管的微结构。势垒层用作在催化剂层和电阻层之间的防扩散层以防止在碳纳米管的生长期间催化剂层扩散进电阻层。该势垒层还增强催化剂层的粘合特性以使得能够在催化剂层上均匀生长碳纳米管结构。

公开(公告)号：CN1853006A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200380107266.6

申请日：2003-11-21

Applicant: 赛得里姆显示器公司

Inventor： 康盛球 ,  克雷格·贝

IPC: C30B29/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B25/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/12 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/845

Abstract: 使用等离子体化学淀积方法在基材表面上形成碳纳米管。在纳米管已经生长以后，在新近形成的纳米管结构上实施处理步骤。该后处理可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子控制纳米管层的厚度。在相同基材温度下，用等离子体实施后处理。对于该后处理，含氢气体用作等离子体源气体。在从纳米管生长停止转变到后处理步骤期间，等离子体处理室中的压力用上述纯化气体稳定，而不关闭该室中的等离子体。这消除了清除和抽空该等离子体处理室的需要。

公开(公告)号：CN1729317A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200380107267.0

申请日：2003-11-21

Applicant: 赛得里姆显示器公司

Inventor： 康盛球 ,  克雷格·贝

IPC: C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/00 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B25/105 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/845

Abstract: 使用等离子体化学淀积方法在基材表面形成碳纳米管。纳米管生长之后，在新近形成的纳米管结构上进行纯化步骤。纯化可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子，控制该纳米管层的厚度。在相同的基质温度下，用等离子体实施纯化。对于纯化，加入到等离子体化学淀积源气体中的作为辅助气体的含氢气体用作等离子源气体。因为纯化等离子体的源气体作为辅助气体加入到化学等离子体沉积的源气体中，通过与持留在等离子体处理室中的连续等离子体反应而纯化生长的碳纳米管。这消除了清除和抽空等离子体处理室，以及用纯化等离子体源气体稳定压力的必要。因此，在等离子体处理室中可以在不关闭等离子体的情况下进行生长和纯化。

公开(公告)号：CN1739189A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200380108992.X

申请日：2003-12-19

Applicant: 赛得里姆显示器公司 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 孙钟禹 ,  张出河 ,  金正宰 ,  浩司铃木 ,  高志桑原

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种包括在催化剂层上形成的保护层来保护该催化剂层在阴极处理期间或之前免受有害环境条件影响的电子发射设备。本发明还包括半蚀刻处理，其适用于从催化剂层上部分去除保护层，以蚀刻除了碳纤管生长部分之外的催化剂层。部分保护层仍然保留在催化剂层上以保护该催化剂层在下个阴极形成处理中免受有害条件的影响。