公开(公告)号：CN1739189A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200380108992.X

申请日：2003-12-19

Applicant: 赛得里姆显示器公司 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 孙钟禹 ,  张出河 ,  金正宰 ,  浩司铃木 ,  高志桑原

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种包括在催化剂层上形成的保护层来保护该催化剂层在阴极处理期间或之前免受有害环境条件影响的电子发射设备。本发明还包括半蚀刻处理，其适用于从催化剂层上部分去除保护层，以蚀刻除了碳纤管生长部分之外的催化剂层。部分保护层仍然保留在催化剂层上以保护该催化剂层在下个阴极形成处理中免受有害条件的影响。