公开(公告)号：CN1198294C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN01117021.2

申请日：2001-04-19

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： 伊恩·蒙克里夫 ,  克莱夫·L·威迪克斯

IPC: H01F27/08 ,  H01F27/20

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 本发明涉及一种在一真空处理腔室中对一包埋式电感线圈，比如一致电离线圈进行冷却的方法。线圈10可以包括有一绕制中空管11，当利用一泵13进行泵送时，冷却剂可以穿经该中空管进行流动。设置一阀16，以便空气可以沿某一方向穿经所述中空管，并且流动方向由一控制器20进行控制，该控制器20对阀16进行操作。阀16的转换频率可以由一工艺操作条件或者通过对下游的冷却剂和/或线圈的温度进行监控来进行确定。

公开(公告)号：CN1294754A

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN00800223.1

申请日：2000-02-24

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： 克里斯托弗·戴维·多布森

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明涉及一种加热例如半导体器件中的绝缘层的方法,其中透过一层抗蚀剂蚀刻形成物,包括反应蚀刻抗蚀剂,防止吸收或除去蚀刻形成物的裸露表面上的水蒸气和/或氧气,在没有上述水蒸气和/或氧气的情况下用导电金属填充形成物。

公开(公告)号：CN100437886C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN01810986.1

申请日：2001-07-18

Applicant: 特利康控股有限公司 ,  史蒂文·罗伯特·伯吉斯

Inventor： 史蒂文·罗伯特·伯吉斯 ,  卡斯藤·乔更斯

IPC: H01J37/34

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/3408 ,  H01J2237/022

Abstract: 一种磁控管溅射装置，具有控制器(10a)或者在支架(12)上的衬底(3)上选择性地控制等离子体的释放扩展。在衬底要涂覆上靶材时这个控制器也可以约束等离子体。这在将靶材沉积到所需的衬底例如晶片上的沉积间隔中能够清洁靶的表面，并且保证了靶自身上不会形成由背散射沉积的靶材组成的层或者薄片。一种压筒线圈位于磁控管和支架之间以增加近乎垂直到达衬底表面的靶材的均匀性和密度。

公开(公告)号：CN1203532C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01116607.X

申请日：2001-04-13

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： 克莱尔·L·威金斯

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C14/5826 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5853 ,  H01G4/1254 ,  H01L21/31604

Abstract: 本发明涉及一种在一半导体衬底上镀敷绝缘物质用以形成一电容器组件的方法。该方法包括从一金属靶上将一金属氧化物层反应溅镀到所述衬底上的步骤，其中支撑件被施加偏压，用以随着金属氧化物的形成穿经所镀敷的绝缘物质而感应出一直流电压。该电压可以在200至300伏的范围内。

公开(公告)号：CN1318850A

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：CN01117021.2

申请日：2001-04-19

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： 伊恩·蒙克里夫 ,  克莱夫·L·威迪克斯

IPC: H01F27/08 ,  H01F27/20

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 本发明涉及一种在一真空处理腔室中对一包埋式电感线圈,比如一致电离线圈进行冷却的方法。线圈10可以包括有一绕制中空管11,当利用一泵13进行泵送时,冷却剂可以穿经该中空管进行流动。设置一阀16,以便空气可以沿某一方向穿经所述中空管,并且流动方向由一控制器20进行控制,该控制器20对阀16进行操作。阀16的转换频率可以由一工艺操作条件或者通过对下游的冷却剂和/或线圈的温度进行监控来进行确定。

公开(公告)号：CN1185693C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01101669.8

申请日：2001-01-19

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： 约汉·迈克内尔 ,  罗伯特·约汉·维尔比 ,  努特·比克曼

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1031 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉及一种在两层介质层中间含有一层居中的蚀刻阻挡层的半导体器件，其中每层的介质常数k≤3.5而且蚀刻阻挡层相对于上层的选择性至少是2.5∶1。还描述了可形成如作为蚀刻阻挡层用的掺氮碳化硅膜的方法和器件。

公开(公告)号：CN1326218A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01116607.X

申请日：2001-04-13

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： 克莱尔·L·威金斯

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C14/5826 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5853 ,  H01G4/1254 ,  H01L21/31604

Abstract: 本发明涉及一种在一半导体衬底上镀敷绝缘物质用以形成一电容器组件的方法。该方法包括从一金属靶上将一金属氧化物层反应溅镀到所述衬底上的步骤,其中支撑件被施加偏压,用以随着金属氧化物的形成穿经所镀敷的绝缘物质而感应出一直流电压。该电压可以在200至300伏的范围内。

公开(公告)号：CN1309418A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN01101669.8

申请日：2001-01-19

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： 约汉·迈克内尔 ,  罗伯特·约汉·维尔比 ,  努特·比克曼

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1031 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉及一种在两层介质层中间含有一层居中的蚀刻阻挡层的半导体器件,其中每层的介质常数k≤3.5而且蚀刻阻挡层相对于上层的选择性至少是2.5∶1。还描述了可形成如作为蚀刻阻挡层用的掺氮碳化硅膜的方法和器件。

公开(公告)号：CN1185694C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN00801204.0

申请日：2000-06-26

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： K·格勒斯 ,  K·比克曼 ,  C·D·道普森 ,  J·马克尼尔 ,  A·P·威尔拜

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明涉及在基体上形成膜的方法和装置，该方法包括：在存在等离子体的条件下，以气体或蒸汽形式向室中供应含硅有机化合物和一种氧化剂，从而在该基体上沉积一种膜以及固化该膜，从而在膜中保留含碳基团。在特定的实施方案中，该固化是通过将该膜向H2等离子体暴露而实现的。

公开(公告)号：CN1178280C

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN00800223.1

申请日：2000-02-24

Applicant: 特利康控股有限公司

Inventor： 克里斯托弗·戴维·多布森

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明涉及一种加热例如半导体器件中的绝缘层的方法，其中透过一层抗蚀剂蚀刻形成物，包括反应蚀刻抗蚀剂，防止吸收或除去蚀刻形成物的裸露表面上的水蒸气和/或氧气，在没有上述水蒸气和/或氧气的情况下用导电金属填充形成物。