公开(公告)号：CN101843106B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200880113685.3

申请日：2008-10-10

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 高山淳

IPC: H04N13/02 ,  G03B35/08 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/2251 ,  G03B35/08 ,  H04N13/239

Abstract: 为了通过使介于多个摄像元件的摄像面间的部件为最小限度，并使多个摄像元件的摄像面间的累积误差为最小限度，从而提供一种高精度的摄像装置，摄像装置包括：备有具有光电变换功能的多个像素的多个摄像元件；安装多个摄像元件的支撑体；其中，多个摄像元件是通过分别碰到支撑体从而分别在光轴方向被定位。

公开(公告)号：CN103025518B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201180036153.6

申请日：2011-07-07

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 井宏元 ,  本田诚 ,  大石清 ,  铃木一生 ,  伊藤聪

IPC: B32B9/00

CPC classification number: C09D1/00 ,  B05D5/00 ,  C08J7/045 ,  C08J7/123 ,  C08J2323/06 ,  C08J2483/16 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异以及切断加工适应性优异的气体阻隔性膜及使用了其的有机光电转换元件。该气体阻隔性膜的特征在于，在基材(2)的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元(5)，该气体阻隔层单元(5)具有用化学蒸镀法形成的第1阻隔层(3)和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层(4)，该第2阻隔层(4)在上述基材面侧具有非改性区域(4B)、在表层侧具有改性区域(4A)。

公开(公告)号：CN103885157A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210560035.1

申请日：2012-12-21

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 田中宏明 ,  松坂庆二 ,  王明珠

IPC: G02B13/18 ,  G02B13/00

Abstract: 本发明涉及一种拍摄镜头，从物体侧按顺序包括孔径光阑、正的第一透镜、负的第二透镜、第三透镜、正的第四透镜、负的第五透镜，满足条件式：0.8≦（r2F＋r2R）/（r2F－r2R）≦1.2、0.8≦（r4F＋r4R）/（r4F－r4R）≦1.6、－1.6≦f2/f≦－0.8、－0.212≦T5/f5≦－0.010（r2F：第二透镜的物体侧面的曲率半径、r2R：第二透镜的像侧面的曲率半径、r4F：第四透镜的物体侧面的曲率半径、r4R：第四透镜的像侧面的曲率半径、f2：第二透镜的焦距、f：拍摄镜头全系的焦距、T5：第五透镜的光轴上的厚度、f5：第五透镜的焦距），在拍摄元件的拍摄面成像被摄体像。

公开(公告)号：CN101978683B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN200980109529.4

申请日：2009-04-01

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 山本夏树 ,  小坂明 ,  谷村康隆

IPC: H04N5/225 ,  G02B7/04 ,  G02B7/10

CPC classification number: B29D11/0073 ,  G02B7/04 ,  G02B7/102 ,  H01L41/094 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/2257 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1056 ,  Y10T156/1057

Abstract: 本发明提供一种摄像装置及摄像装置的制造方法，其目的在于提供一种能够兼顾小型摄像装置的高性能化和高精度化的技术。为了达到上述目的，本发明涉及的摄像装置层叠包含如下各层的多个层而形成：摄像元件层，其具有摄像元件部；透镜层，其具有距摄像元件部的距离可变更的透镜部，且被配置于摄像元件部之中接受来自被摄体的光的摄像面一侧；以及执行元件层，其具有使透镜部移动的执行部，且被配置于摄像元件部的摄像面一侧。

公开(公告)号：CN101386226B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810210282.2

申请日：2004-07-29

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 岩下广信 ,  山本和典 ,  西尾茂 ,  村田和广

IPC: B41J2/06 ,  B41J2/14

Abstract: 一种液体喷射设备，包括：具有用于从尖端部分喷射带电溶液的小滴的喷嘴(51)的液体喷射头(56)；被提供在所述液体喷射头上的喷射电极(58)，对其施加电压以产生电场从而喷射所述小滴；电压施加单元(35)，用于对所述喷射电极施加电压；包括绝缘材料的载体K，用于接收喷射的小滴；以及喷射气氛调节单元(70)，用于保持经受液体喷射头的喷射的气氛为9℃或9℃以上并且小于水的饱和温度的露点。

公开(公告)号：CN101333654B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810098597.2

申请日：2001-12-06

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 福田和浩 ,  近藤庆和 ,  村上隆 ,  岩丸俊一 ,  村松由海 ,  辻稔夫

IPC: C23C16/505 ,  H05H1/48

CPC classification number: G02B1/11 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  C23C16/402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  C23C16/545 ,  G02B1/10 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G02B1/16 ,  G02B1/18 ,  H01J37/32532

Abstract: 一种等离子体放电处理装置，通过在大气压或大气压附近的压力下，在对置的两种电极之间，以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜，其特征在于：上述衬底是长形膜，上述对置电极中的至少一个是与上述长形膜接触，且沿上述长形膜的传送方向旋转的辊电极；至少与上述辊电极对置的电极，是导电性母材被介电体覆盖的介电体覆盖电极；至少上述辊电极的与上述衬底相接触的面的表面粗糙度Rmax为10μm以下。

公开(公告)号：CN101978683A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109529.4

申请日：2009-04-01

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 山本夏树 ,  小坂明 ,  谷村康隆

IPC: H04N5/225 ,  G02B7/02 ,  G02B7/04 ,  H02N2/00 ,  H04N5/335

CPC classification number: B29D11/0073 ,  G02B7/04 ,  G02B7/102 ,  H01L41/094 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/2257 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1056 ,  Y10T156/1057

Abstract: 本发明提供一种摄像装置及摄像装置的制造方法，其目的在于提供一种能够兼顾小型摄像装置的高性能化和高精度化的技术。为了达到上述目的，本发明涉及的摄像装置层叠包含如下各层的多个层而形成：摄像元件层，其具有摄像元件部；透镜层，其具有距摄像元件部的距离可变更的透镜部，且被配置于摄像元件部之中接受来自被摄体的光的摄像面一侧；以及执行元件层，其具有使透镜部移动的执行部，且被配置于摄像元件部的摄像面一侧。

公开(公告)号：CN1798865B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200480015446.6

申请日：2004-05-31

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 工藤一良 ,  齐藤笃志 ,  有田浩了

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  G02B1/10

Abstract: 一种形成薄膜的方法，特征在于如下步骤：在大气压或约大气压下将放电气体引入放电空间受激发，然后将由此受激放电气体和含有带具有氟原子的有机基团的有机金属化合物的成膜气体在放电空间外彼此接触，由此形成间接受激气体，并将基材暴露于该间接受激气体下，由此在该基材上形成薄膜。还公开了具有通过这种方法形成的薄膜的制品。

公开(公告)号：CN100559513C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200580031729.4

申请日：2005-09-14

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 清村贵利 ,  间宫周雄 ,  工藤一良 ,  辻稔夫 ,  齐藤笃志

IPC: H01B5/14 ,  C23C16/40 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明的目的在于提供在保持高透明性和导电性的同时具有与基材紧密附着性和耐龟裂性优异的透明导电膜。其特征在于，交替叠层由金属氧化物构成的低密度金属氧化物层和高密度金属氧化物层、且将所述低密度金属氧化物层的密度作为M1，将高密度金属氧化物层的密度作为M2时，满足下述式(1)所规定的条件，式(1)：1.01≤M2/M1≤1.400。

公开(公告)号：CN100547663C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200410031875.4

申请日：2004-03-30

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 八木克哉 ,  新勇一 ,  木村彻 ,  池中清乃

IPC: G11B7/135

CPC classification number: G11B7/1378 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/1353 ,  G11B7/13922 ,  G11B7/13925 ,  G11B2007/0006 ,  G11B2007/13727

Abstract: 本发明公开了一种光拾波装置。其包括：第一、第二和第三光源；聚光光学系统，其包括第一接物光学元件和第二接物光学元件，其中第一接物光学元件将由第一光源发出的光束聚到第一信息记录表面上，第二接物光学元件将从第三光源发出的光束聚到第三信息记录表面上，而第一接物光学元件或第二接物光学元件将从第二光源发出的光束聚到第二信息记录表面上；透镜架，其保持第一接物光学元件和第二接物光学元件；色差校正元件，其校正由第一光源所发出的光束的波长变化所造成的色差。