公开(公告)号：CN103025518A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036153.6

申请日：2011-07-07

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 井宏元 ,  本田诚 ,  大石清 ,  铃木一生 ,  伊藤聪

IPC: B32B9/00

CPC classification number: C09D1/00 ,  B05D5/00 ,  C08J7/045 ,  C08J7/123 ,  C08J2323/06 ,  C08J2483/16 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异以及切断加工适应性优异的气体阻隔性膜及使用了其的有机光电转换元件。该气体阻隔性膜的特征在于，在基材(2)的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元(5)，该气体阻隔层单元(5)具有用化学蒸镀法形成的第1阻隔层(3)和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层(4)，该第2阻隔层(4)在上述基材面侧具有非改性区域(4B)、在表层侧具有改性区域(4A)。

公开(公告)号：CN103025518B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201180036153.6

申请日：2011-07-07

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 井宏元 ,  本田诚 ,  大石清 ,  铃木一生 ,  伊藤聪

IPC: B32B9/00

CPC classification number: C09D1/00 ,  B05D5/00 ,  C08J7/045 ,  C08J7/123 ,  C08J2323/06 ,  C08J2483/16 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异以及切断加工适应性优异的气体阻隔性膜及使用了其的有机光电转换元件。该气体阻隔性膜的特征在于，在基材(2)的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元(5)，该气体阻隔层单元(5)具有用化学蒸镀法形成的第1阻隔层(3)和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层(4)，该第2阻隔层(4)在上述基材面侧具有非改性区域(4B)、在表层侧具有改性区域(4A)。

公开(公告)号：CN1756826A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200480005662.2

申请日：2004-03-04

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 古泽直子 ,  伊藤聪 ,  冈田尚大 ,  星野秀树

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/64 ,  C09K11/78 ,  H01J11/02

CPC classification number: C09K11/595 ,  C09K11/08

Abstract: 一种荧光体，其特征在于其含有具有平均粒径为10nm到2μm、所有颗粒的90质量％或更多具有平均粒径±30％以内的粒径并且无角的颗粒的数目占所有颗粒数目的比为80％或更多；以及该荧光体的制造方法，包括通过使用液相法合成该荧光体的前体。