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公开(公告)号：CN1780935B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480011366.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: C23C16/45595 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/505 , C23C16/56 , Y10T428/31504
Abstract: 一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：第一工序，在大气压下或接近大气压下，将放电气体提供到产生高频电场A的第一放电空间并进行激励，将上述已激励的放电气体的能量传送给薄膜形成气体，进行激励，将基材暴露于上述已激励的薄膜形成气体，由此在上述基材上形成薄膜；第二工序，将含有氧化性气体的气体提供到产生高频电场B的第二放电空间并进行激励，将在上述第一工序中形成的上述薄膜暴露于含有上述已激励的氧化性气体的气体中。
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公开(公告)号：CN101023499A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031729.4
申请日：2005-09-14
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: C23C16/403 , C23C16/0272 , C23C16/405 , C23C16/407 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明的目的在于提供在保持高透明性和导电性的同时具有与基材紧密附着性和耐龟裂性优异的透明导电膜。其特征在于，交替叠层由金属氧化物构成的低密度金属氧化物层和高密度金属氧化物层、且将所述低密度金属氧化物层的密度作为M1，将高密度金属氧化物层的密度作为M2时，满足下述式(1)所规定的条件，式(1)：1.01≤M2/M1≤1.400。
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公开(公告)号：CN100559513C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200580031729.4
申请日：2005-09-14
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: C23C16/403 , C23C16/0272 , C23C16/405 , C23C16/407 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明的目的在于提供在保持高透明性和导电性的同时具有与基材紧密附着性和耐龟裂性优异的透明导电膜。其特征在于，交替叠层由金属氧化物构成的低密度金属氧化物层和高密度金属氧化物层、且将所述低密度金属氧化物层的密度作为M1，将高密度金属氧化物层的密度作为M2时，满足下述式(1)所规定的条件，式(1)：1.01≤M2/M1≤1.400。
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公开(公告)号：CN1780935A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011366.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: C23C16/45595 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/505 , C23C16/56 , Y10T428/31504
Abstract: 一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：第一工序，在大气压下或接近大气压下，将放电气体提供到产生高频电场A的第一放电空间并进行激励，将上述已激励的放电气体的能量传送给薄膜形成气体，进行激励，将基材暴露于上述已激励的薄膜形成气体，由此在上述基材上形成薄膜；第二工序，将含有氧化性气体的气体提供到产生高频电场B的第二放电空间并进行激励，将在上述第一工序中形成的上述薄膜暴露于含有上述已激励的氧化性气体的气体中。
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