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公开(公告)号：CN118127639A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410242006.3
申请日：2024-03-04
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
IPC: C30B33/02 , B23K26/362
Abstract: 本发明公开了一种优化碳化硅晶圆片面型的方法，本发明首先对各工序段线切片、减薄片或者研磨片进行面型检测，面型检测设备为晶圆平坦度测试仪，根据拟合的面型图分析面型恶化区域，面型极端的区域会通过颜色显示出来。在特殊石墨工装的支持下，晶片在电阻炉中完成高温退火，实现面型优化。
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公开(公告)号：CN115464484A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211260155.X
申请日：2022-10-14
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置，通过将两片碳化硅晶片的两个相同极性面进行贴合，对暴露在外侧的另外两个相同极性面按照相同切削速率同时进行加工，加工完成后再次将两片碳化硅晶片的两个加工完成的相同极性面进行贴合，对另外两个相同极性面按照相同切削速率同时进行加工，最终得到加工完成的两片碳化硅晶片；有效的解决了作为SIC衬底的碳化硅晶片进行双面研磨或者双面抛光时由于硅面与碳面特性不同产生的移除速率差异问题，避免为了保证单面的最低移除量造成另一面的过度厚度去除，不仅大大缩短了加工时间，同时也因为缩短加工时间有效的降低了生产物料成本。
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公开(公告)号：CN115464484B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211260155.X
申请日：2022-10-14
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置，通过将两片碳化硅晶片的两个相同极性面进行贴合，对暴露在外侧的另外两个相同极性面按照相同切削速率同时进行加工，加工完成后再次将两片碳化硅晶片的两个加工完成的相同极性面进行贴合，对另外两个相同极性面按照相同切削速率同时进行加工，最终得到加工完成的两片碳化硅晶片；有效的解决了作为SIC衬底的碳化硅晶片进行双面研磨或者双面抛光时由于硅面与碳面特性不同产生的移除速率差异问题，避免为了保证单面的最低移除量造成另一面的过度厚度去除，不仅大大缩短了加工时间，同时也因为缩短加工时间有效的降低了生产物料成本。
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公开(公告)号：CN220091121U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202321541491.1
申请日：2023-06-16
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
IPC: B01F27/90 , B28D5/04 , B24B27/06 , B01F27/191
Abstract: 本实用新型公开了一种多线切割机用砂浆搅拌装置，包括砂浆罐体，所述砂浆罐体中心区域设有用于隔离砂浆的腔体，所述腔体的高度小于所述砂浆罐体的高度，所述砂浆罐体的上盖处设有桨叶旋转电机，在所述砂浆罐体内部对称设置有桨叶，对称的桨叶通过一桨叶连接件组成桨叶组件，所述桨叶组件与所述桨叶旋转电机连接。本实用新型在砂浆罐的轴心区域设置一个空腔或者实体，让砂浆无法进入轴心附近的区域，进一步的改变桨叶的结构，将桨叶改成“L”型，以使之匹配新结构砂浆罐，旋转过程中桨叶线速度较小的部分不再接触砂浆，砂浆处的切削料也就不会再出现堆积的现象。
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公开(公告)号：CN220784466U
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202321717112.X
申请日：2023-07-03
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅多线切割的卸片装置，所述卸片装置包括支撑架，所述支撑架包括第一支撑部，第二支撑部与锁紧装置，所述支撑架部分开口，所述锁紧装置连接所述第一支撑部与第二支撑部，并使得第一支撑部与第二支撑部可围绕锁紧装置转动，所述支撑架内部设有多个凸起支撑台、凹部支撑台与弹力绳。本实用新型通过PFA支撑架与中部弹力绳保证片与片之间隔开，锁紧扭转弹簧装置用以固定所有晶片，AB胶失去粘性后整体取下，倒置在工作台上，实现碳化硅晶片的安全卸片，解决崩边，裂片等问题。
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