-
公开(公告)号：CN117966259A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410313421.3
申请日：2024-03-19
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及制备方法，通过设置坩埚结构包括开口相对设置的下坩埚和上坩埚，所述上坩埚和所述下坩埚通过侧壁滑动连接；一方面，使得可以充分利用上坩埚和下坩埚之间的生长空间，进一步提高长晶厚度，而且上坩埚与下坩埚之间的组合也更有利于生长空间的稳定性；另一方面，上坩埚和下坩埚通过侧壁滑移连接，可以通过动态拉伸保持碳化硅单晶生长界面和碳化硅粉料界面的距离来控制轴向温度梯度的动态平衡，保持在生长过程中的生长界面的稳定，降低位错等缺陷。
Search Results
1
records
(took 0.036 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
