公开(公告)号：CN106796977B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580039877.4

申请日：2015-07-23

Applicant: 晶体公司

Inventor： 北村健 ,  户板真人 ,  石井宏典 ,  王玉亭 ,  L·J·斯高沃特 ,  陈贱峰 ,  J·R·格兰达斯基

IPC: H01L33/52

Abstract: 在各个实施例中，有机密封剂层被提供在紫外(UV)发光半导体芯片的表面上方，密封剂的至少一部分被暴露于UV光以将密封剂的所述部分中的至少一些转化成非化学计量比二氧化硅材料。所述非化学计量比二氧化硅材料包括硅、氧和碳，所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1ppm且小于40原子百分比。

公开(公告)号：CN106796977A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580039877.4

申请日：2015-07-23

Applicant: 晶体公司

Inventor： 北村健 ,  户板真人 ,  石井宏典 ,  王玉亭 ,  L·J·斯高沃特 ,  陈贱峰 ,  J·R·格兰达斯基

IPC: H01L33/52

Abstract: 在各个实施例中，有机密封剂层被提供在紫外(UV)发光半导体芯片的表面上方，密封剂的至少一部分被暴露于UV光以将密封剂的所述部分中的至少一些转化成非化学计量比二氧化硅材料。所述非化学计量比二氧化硅材料包括硅、氧和碳，所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1ppm且小于40原子百分比。

公开(公告)号：CN106104821A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580012926.5

申请日：2015-04-06

Applicant: 晶体公司 ,  北村健

Inventor： 北村健 ,  户板真人 ,  陈贱峰 ,  李宇新 ,  王玉亭 ,  石井宏典

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54

CPC classification number: A61L2/10 ,  H01L33/44 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在多个实施例中，照明装置的特征在于紫外(UV)发光装置至少部分地被密封剂围绕。阻挡层被置于发光装置和密封剂之间，且被配置为基本防止发光装置发出的UV光进入密封剂。