改进了的DRAM用主放大电路和输入输出总线

    公开(公告)号:CN1178987A

    公开(公告)日:1998-04-15

    申请号:CN97117157.2

    申请日:1997-07-18

    Inventor: 和田省治

    Abstract: 存储器与写入放大器驱动并预充电二个I/O总线。主放大器包括分离和预充电区及激活区。激活区在总线分离时驱动预充电信号。还包括主输出总线和测试输出总线使存储器工作于正常模式和测试模式。测试模式可同时访问二倍存储单元,缩短测试时间。大数据宽度可生产相对大电容的输出总线,使其电阻小。小数据宽度可生产带有相对小的电容的输出总线,使其电阻大。结果各输出总线的时间常数非常接近。

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