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公开(公告)号：CN108495818A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780008077.5
申请日：2017-01-23
Applicant: 新日本电工株式会社
Abstract: 提供一种二氧化铈-二氧化锆系复合氧化物氧吸放材料、排气净化催化剂和排气净化用蜂窝结构体，所述氧吸放材料对于虽无大的气氛变动但在理论空燃比附近高速变化的排气组成具有能够高速响应的OSC能力且氧吸放速度快。一种氧吸放材料，是二氧化铈-二氧化锆系复合氧化物，其特征在于，组成为铈与锆的摩尔比按铈/(铈+锆)计为0.33以上且0.90以下，以交流阻抗法测定的离子传导率在400℃为1×10-5S/cm以上，且相对于阳离子总量，包含0.5mol％以上且15mol％以下的配位数超过7.0配位的选自Sm3+、Eu3+、Pr3+、Gd3+和Dy+3中的1种以上的稀土元素的金属离子M。
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公开(公告)号：CN118043293A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280066164.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 新日本电工株式会社
Inventor： 平原太阳
Abstract: 本发明实现一种温度度依存性低、相对介电常数高的陶瓷电容器用介电体材料。一种陶瓷电容器用介电体粉末、将其烧结而成的陶瓷电容器用介电体材料，其特征在于，包括具有包含Li、La、Zr、及O各必需元素的石榴石型或类似石榴石型的结晶结构的复合氧化物的粉末，所述必需元素的一部分被与所述必需元素不同的添加元素置换，而具有Li位点空位，室温下的离子传导率为1×10‑5S/cm以上。
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公开(公告)号：CN101794722A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010106032.1
申请日：2010-01-29
Applicant: 日本电工株式会社
Inventor： 高本尚英
IPC: H01L21/68 , H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68386 , H01L2223/54433 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , Y10T428/1467 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜用其中包含的染料着色。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101360989A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001718.0
申请日：2007-01-10
Applicant: 日本电工株式会社
IPC: G01N21/896 , G02B5/30 , G01M11/00
CPC classification number: G01N21/958 , G01N21/21
Abstract: 本发明提供无需将新的部件插入到光程中就可以进行已将构成层叠薄膜的相位差层的光学性能偏差考虑进去的缺陷检测的层叠薄膜的缺陷检测装置。是层叠有偏振片(1)和相位差层(隔离件(2))的层叠薄膜(11)的缺陷检测方法，具有：配置在层叠薄膜(11)的薄膜面的一侧的光源(12)、配置在薄膜面的另一侧的摄像部(13)、在光源(12)和摄像部(13)之间配置的检查用偏光滤光器(15)、根据拍摄的图像对存在于偏振片(1)的缺陷进行检测的缺陷检测部(14b)、和对偏光滤光器(15)的偏光轴(L2)和偏振镜(2)的偏光轴(L1)的相对角度位置进行调节的光轴调节部(16)；就偏光滤光器(15)的相对角度位置而言，是在0°＜x≤15°的范围内调节偏光滤光器的相对角度位置x，使得输入到摄像部的可见光的光量成为最小值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116848675A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280013734.6
申请日：2022-02-07
Applicant: 新日本电工株式会社
IPC: H01M4/62
Abstract: 本发明实现一种添加至锂离子二次电池的电极中而可提高其特性的添加材料。一种锂离子二次电池电极的添加材料，是具有包含Li、La、Zr、及O各元素的石榴石型或类似石榴石型的结晶结构的复合氧化物，所述锂离子二次电池电极的添加材料的特征在于，所述元素的一部分中利用与所述元素不同且可形成Li位点空位的元素A对元素Li的一部分进行置换，而具有40％以上且80％以下的Li位点空位比例，且室温下的离子传导率为1×10‑5S/cm以上。
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公开(公告)号：CN101794722B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010106032.1
申请日：2010-01-29
Applicant: 日本电工株式会社
Inventor： 高本尚英
IPC: H01L21/68 , H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68386 , H01L2223/54433 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , Y10T428/1467 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜用其中包含的染料着色。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102224575A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147025.1
申请日：2009-11-19
Applicant: 日本电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67132 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/36 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/51 , B32B2405/00 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/01055 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 在切割步骤中，用于切割步骤中的表面保护带通过将其贴附在待切断体的表面上并与待切断体一起被切断来防止待切断体的表面由于粉尘例如切削粉尘的附着而受到污染，并且该表面保护带在切割步骤之后容易从各芯片剥离和去除。将切割用表面保护带贴附在待切断体的表面上并与待切断体一起切断。在该带中，层压收缩性膜层和约束层，该收缩性膜层由于刺激至少沿一个轴方向收缩，该约束层限制该收缩性膜层的收缩，当被施加引起收缩的刺激时，该表面保护带在从一个端部沿一个方向或从相对的两个端部朝向中心的自发卷起并形成一个或两个筒状卷起体的同时剥离。
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公开(公告)号：CN1898056A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038742.8
申请日：2004-11-02
Applicant: 日本电工株式会社
IPC: B23K26/18 , H01L21/301 , C09J7/02
Abstract: 本发明提供一种激光加工用保护片(2)，当利用激光(7)的紫外吸收烧蚀对工件(1)进行时，能够有效地抑制分解物所引起的工件表面的污染。另外，提供一种使用激光加工用保护片(2)的激光加工品(10)的制造方法。在利用激光(7)的紫外吸收烧蚀对工件(1)进行加工时，激光加工用保护片(2)被设置在工件(1)的激光入射面一侧。
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