公开(公告)号：CN109953744B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201811528661.6

申请日：2018-12-14

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  希森美康株式会社

Inventor： 菊地良介 ,  原田一宏 ,  柴田阳平 ,  石井秀树 ,  室原丰明

IPC: A61B5/00 ,  G01N33/535 ,  G01N33/68

Abstract: 本发明涉及使用受试体血中的关于VEGF‑A的测定值进行心脏疾病的重症度及预后预测的方法、装置及计算机程序。本发明以提供成为心肌梗塞的预后或冠状动脉疾病的重症度的指标的血液标志物作为一课题。本发明提供含取得关于受试体的VEGF‑A的值的方法。上述值是血液试样中的总VEGF‑A的测定值或者通过用血液试样中的VEGF‑A165b的测定值除以血液试样中的总VEGF‑A的测定值而得到的值(VEGF‑A165b/总VEGF‑A)，上述值提示上述受试体的心肌梗塞的预后或上述受试体的冠状动脉疾病的重症度。

公开(公告)号：CN109075060B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201780016010.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  堀胜 ,  关根诚

IPC: H01L21/3065 ,  C08G12/08 ,  C08G65/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。#imgabs0#

公开(公告)号：CN110660761B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910523882.2

申请日：2019-06-18

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 别所毅 ,  出口昌孝 ,  斋藤永宏 ,  桥见一生

IPC: H01L23/373

Abstract: 本发明涉及热传导结构体或半导体装置。本公开的目的在于提供热传导性优异的热传导结构体。本实施方式为热传导结构体，其为热从第一构件向第二构件传导的热传导结构体，包含：在上述第一构件和上述第二构件中的至少一者的表面上形成的自组装单分子膜、以及在上述第一构件和上述第二构件之间与上述自组装单分子膜相接地配置的散热油脂。

公开(公告)号：CN116603103A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310424217.4

申请日：2015-06-29

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  株式会社目立康

Inventor： 安藤圭 ,  石黑直树 ,  今釜史郎 ,  伊藤全哉 ,  横山康弘 ,  横井秀典 ,  永井祐介

IPC: A61L27/22 ,  A61L27/36 ,  A61L27/54

Abstract: 本申请涉及骨形成促进材料。本发明提供一种生物体安全性高、可促进骨形成的骨形成促进材料。本发明的骨形成促进材料含有在中性pH的水溶液中可形成β片层结构的自组装肽和骨片。构成该自组装肽的氨基酸残基在pH7.0时的电荷的总和不为0。

公开(公告)号：CN108495929B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201780007313.1

申请日：2017-01-18

Applicant: 国立大学法人名古屋大学

Inventor： 须贺英隆 ,  小川晃一郎 ,  笠井贵敏 ,  有马宽

IPC: C12N5/071 ,  C12N1/00 ,  C12N5/02 ,  C12N5/0793

Abstract: 本发明提供由人多能干细胞高效地分化诱导为下丘脑神经元的方法。另外，本发明提供由人多能干细胞构建下丘脑组织和垂体组织一体化的细胞结构体的方法。本发明通过包括如下步骤的方法得到含有下丘脑组织的细胞结构体，所述步骤为：将人多能干细胞的凝集块在含有低浓度的骨形态发生因子信号转导通路激活物质和低浓度的作用于Shh信号通路的物质的培养基中进行悬浮培养的步骤，以及将在该步骤中得到的细胞凝集块在含有低浓度的作用于Shh信号通路的物质的培养基中进一步进行悬浮培养的步骤。另外，通过包括如下步骤的方法得到含有下丘脑组织和垂体组织的细胞结构体，所述步骤为：将人多能干细胞的凝集块在含有骨形态发生因子信号转导通路激活物质和作用于Shh信号通路的物质的培养基中进行悬浮培养的步骤，将该步骤中形成的细胞凝集块在含有骨形态发生因子信号转导通路激活物质和作用于Shh信号通路的物质的培养基中进一步进行悬浮培养的步骤，以及将该步骤中得到的细胞凝集块在适于垂体和下丘脑的同时诱导的培养基中进行悬浮培养的步骤。

公开(公告)号：CN110660100B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201910567033.7

申请日：2019-06-27

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 村濑洋 ,  川西康友 ,  出口大辅 ,  尼克·莫德·扎里菲耶·宾·哈什姆 ,  中野雄介 ,  小堀训成

IPC: G06T7/73

Abstract: 本发明提供观测位置推荐装置及其推荐方法以及计算机可读介质，观测位置推荐装置具备：在第一观测位置取得物体的图像的单元；从取得的物体的图像中提取图像特征量的单元；姿势推定单元，基于所提取的图像特征量，算出表示物体的推定姿势与推定姿势的似然度的关系的第一似然度映射；第二存储单元，存储表示推定出的姿势时的真正的第一观测位置与第一观测位置的似然度的关系的第二似然度映射；第三存储单元，存储表示在第一及第二观测位置观测物体时的物体的姿势与姿势的似然度的关系的第三似然度映射；及观测位置推定单元，以将第一、第二及第三似然度映射相乘并进行了积分的结果作为参数的评价函数的值成为最大或最小的方式，推定第二观测位置。

公开(公告)号：CN110394130B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201910332039.6

申请日：2019-04-24

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 桝田昌明 ,  宫入由纪夫 ,  市濑笃博 ,  小林敬幸

IPC: B01J19/00

Abstract: 本发明提供一种蓄热反应器，蓄热反应器(1)具备：在可供第一流体流通的第一流路(2)中填充蓄热材料(3)而形成的多个蓄热层(4)、以及具有可供第二流体流通的第二流路(5)的多个热交换层(6)。该蓄热反应器(1)中，多个蓄热层(4)和多个热交换层(6)交替层叠。另外，第二流路(5)的开口端部(5a)形成于与形成有第一流路(2)的开口端部(2a)的面不同的面。此外，第二流路(5)的至少一部分与第一流路(2)并列形成。

公开(公告)号：CN108138171B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201680058705.6

申请日：2016-10-07

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人信州大学

Inventor： 西尾信博 ,  中沢洋三 ,  田中美幸 ,  盛田大介 ,  高桥义行

IPC: C12N15/09 ,  A61K35/17 ,  A61P35/00 ,  C07K14/705 ,  C07K19/00 ,  C12N5/10

Abstract: 本发明实现利用转座子法的CAR疗法的基因导入效率的提高。本发明提供一种表达嵌合抗原受体的基因修饰T细胞的制备方法，包括以下的步骤：(1)准备非增殖性细胞的步骤，所述非增殖性细胞是通过在利用抗CD3抗体和抗CD28抗体对含有T细胞的细胞群进行刺激后，进行使增殖能力丧失的处理而得到的；(2)通过转座子法得到导入有靶抗原特异性嵌合抗原受体基因的基因修饰T细胞的步骤；(3)将步骤(1)中准备的非增殖性细胞和步骤(2)中得到的基因修饰T细胞混合，在利用抗CD3抗体和抗CD28抗体进行刺激的同时进行共培养的步骤；(4)回收培养后的细胞的步骤。另外，本发明提供一种表达嵌合抗原受体的基因修饰T细胞的制备方法，包括以下的步骤：(i)准备保持有病毒肽抗原的非增殖性细胞的步骤，所述保持有病毒肽抗原的非增殖性细胞是通过在利用抗CD3抗体和抗CD28抗体对含有T细胞的细胞群进行刺激后，进行病毒肽抗原存在下的培养和使增殖能力丧失的处理而得到的；(ii)通过转座子法得到导入有靶抗原特异性嵌合抗原受体基因的基因修饰T细胞的步骤；(iii)将步骤(i)中准备的非增殖性细胞和步骤(ii)中得到的基因修饰T细胞混合，共培养的步骤；(iv)回收培养后的细胞的步骤。

公开(公告)号：CN110914681B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201780091387.8

申请日：2017-05-31

Applicant: 株式会社岛津制作所 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 横田佳澄 ,  财津桂 ,  林由美 ,  村田匡

IPC: G01N27/62 ,  H01J49/04

Abstract: 在试样台(8)载置活体试样。试样台(8)具有托盘(82)、加热器(83)、温度传感器(84)。在托盘(82)形成有载置活体试样的载置面(821)。加热器(83)对托盘(82)的与载置面(821)所在侧相反的那一侧的面进行加热。温度传感器(84)设置在加热器(83)的与托盘(82)所在侧相反的那一侧。托盘(82)能够相对于加热器(83)进行装拆。

公开(公告)号：CN110431259B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201880018464.1

申请日：2018-03-16

Applicant: 国立大学法人名古屋大学

Inventor： 宇治原彻 ,  竹内幸久 ,  塩尻大士 ,  松本昌树 ,  齐藤广志 ,  林育夫

IPC: C30B29/62 ,  C04B35/581 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明的目的在于提供实现了抑制金属粒子的混入的AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。该AlN晶须的制造方法中，在材料收容部(1200)的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，从连通部(1220)向反应室(1300)导入Al气体，并且从气体导入口(1320)向反应室(1300)导入氮气，使AlN晶须(100)从配置于反应室(1300)的内部的Al2O3基板(1310)的表面生长。