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    具有III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法
    1.
    发明授权
    具有III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN109075060B

    公开(公告)日：2024-03-29

    申请号：CN201780016010.6

    申请日：2017-03-07

    Applicant: 日产化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

    Inventor： 桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  堀胜 ,  关根诚

    IPC: H01L21/3065 ,  C08G12/08 ,  C08G65/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。#imgabs0#

    具有III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法
    2.
    发明公开
    具有III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN109075060A

    公开(公告)日：2018-12-21

    申请号：CN201780016010.6

    申请日：2017-03-07

    Applicant: 日产化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

    Inventor： 桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  堀胜 ,  关根诚

    IPC: H01L21/3065 ,  C08G12/08 ,  C08G65/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。

    抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法
    3.
    发明授权
    抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 有权

    公开(公告)号：CN112789556B

    公开(公告)日：2025-02-11

    申请号：CN201980064842.4

    申请日：2019-10-01

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 清水祥 ,  水落龙太 ,  若山浩之 ,  染谷安信

    IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  C08G59/40 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和有机溶剂，上述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构。(在上述式(1)和式(2)中，X为2价有机基，A为碳原子数6～40的芳基，R1为卤原子、碳原子数1～40的烷基或碳原子数1～40的烷氧基，R2和R3各自独立地为氢原子、可以被取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或卤原子，n1和n3各自独立地为整数1～12，n2为整数0～11。)#imgabs0#

    用于形成微细相分离图案的下层膜形成用组合物
    4.
    发明授权
    用于形成微细相分离图案的下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN110191930B

    公开(公告)日：2022-01-04

    申请号：CN201880007435.5

    申请日：2018-01-16

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 水落龙太 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

    IPC: C09D125/08 ,  C08F212/12 ,  C08F220/18 ,  C08L25/16 ,  C08L33/10 ,  C09D5/00 ,  C09D133/06 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明提供耐溶剂性优异，能够使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导的下层膜形成用组合物。一种下层膜形成用组合物，其包含共聚物，上述共聚物包含(A)来源于含有叔丁基的苯乙烯化合物的单元结构，(B)来源于不含有羟基的含有芳香族结构的乙烯基化合物、并且除上述(A)以外的单元结构，(C)来源于含有(甲基)丙烯酰基且不含有羟基的化合物的单元结构，(D)来源于含有交联形成基的化合物的单元结构，相对于共聚物整体的共聚比为，(A)25～90摩尔％，(B)0～65摩尔％，(C)0～65摩尔％，(D)10～20摩尔％，并且(A)+(B)+(C)之中，包含芳香族结构的单元结构为81～90摩尔％。

    用于形成微细相分离图案的下层膜形成用组合物
    6.
    发明公开
    用于形成微细相分离图案的下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN110191930A

    公开(公告)日：2019-08-30

    申请号：CN201880007435.5

    申请日：2018-01-16

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 水落龙太 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

    IPC: C09D125/08 ,  C08F212/12 ,  C08F220/18 ,  C08L25/16 ,  C08L33/10 ,  C09D5/00 ,  C09D133/06 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明提供耐溶剂性优异，能够使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导的下层膜形成用组合物。一种下层膜形成用组合物，其包含共聚物，上述共聚物包含(A)来源于含有叔丁基的苯乙烯化合物的单元结构，(B)来源于不含有羟基的含有芳香族结构的乙烯基化合物、并且除上述(A)以外的单元结构，(C)来源于含有(甲基)丙烯酰基且不含有羟基的化合物的单元结构，(D)来源于含有交联形成基的化合物的单元结构，相对于共聚物整体的共聚比为，(A)25～90摩尔％，(B)0～65摩尔％，(C)0～65摩尔％，(D)10～20摩尔％，并且(A)+(B)+(C)之中，包含芳香族结构的单元结构为81～90摩尔％。

    具有二醇结构的保护膜形成用组合物
    8.
    发明授权
    具有二醇结构的保护膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN111492312B

    公开(公告)日：2025-03-18

    申请号：CN201880082023.8

    申请日：2018-12-20

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 远藤贵文 ,  染谷安信 ,  岸冈高广

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/308

    Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物、以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异、并可以通过干蚀刻迅速除去的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。

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