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公开(公告)号:CN106030406B
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201480071486.6
申请日:2014-12-30
Applicant: 佳能纳米技术公司 , 分子制模股份有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 描述了增加压印光刻中蚀刻选择性的方法,所述方法使用赋予多层材料堆叠件独特形貌的材料沉积技术,由此增加蚀刻过程窗口和改善蚀刻选择性。例如,可在图案化光刻胶层与沉积的金属、准金属或非有机氧化物之间获得大于或等于50:1的蚀刻选择性,这在将图案转移进入衬底的蚀刻过程之前显著保留了图案特征高度,实现了在高保真度下的亚20nm图案转移。
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公开(公告)号:CN105793777B
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201480066234.4
申请日:2014-12-10
Applicant: 佳能纳米技术公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 提供具有前导和尾部边缘边界的压印光刻术模板,压印光刻术模板在邻近区场之间实现了零间隙的压印,在位于如此区场之间的图形排斥区域(PEZ)内提供全特征的高度特征。前导边缘边界包括虚拟特征,例如,平行于台面边缘方向地定向的细长特征,同时尾部边缘边界包括延伸到台面边缘的凹陷。当使用在步进重复过程中时,尾部边缘边界交叠先前被模板的前导边缘边界形成图形的邻近压印区场的边缘部分,在如此区场之间的图形排斥区域内形成全特征高度特征,并避免如此区场之间的间隙或敞开区域以其它方式导致诸如蚀刻过程和CMP的下游过程的不均匀性。
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公开(公告)号:CN106030406A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201480071486.6
申请日:2014-12-30
Applicant: 佳能纳米技术公司 , 分子制模股份有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 描述了增加压印光刻中蚀刻选择性的方法,所述方法使用赋予多层材料堆叠件独特形貌的材料沉积技术,由此增加蚀刻过程窗口和改善蚀刻选择性。例如,可在图案化光刻胶层与沉积的金属、准金属或非有机氧化物之间获得大于或等于50:1的蚀刻选择性,这在将图案转移进入衬底的蚀刻过程之前显著保留了图案特征高度,实现了在高保真度下的亚20nm图案转移。
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公开(公告)号:CN105793777A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201480066234.4
申请日:2014-12-10
Applicant: 佳能纳米技术公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 提供具有前导和尾部边缘边界的压印光刻术模板,压印光刻术模板在邻近区场之间实现了零间隙的压印,在位于如此区场之间的图形排斥区域(PEZ)内提供全特征的高度特征。前导边缘边界包括虚拟特征,例如,平行于台面边缘方向地定向的细长特征,同时尾部边缘边界包括延伸到台面边缘的凹陷。当使用在步进重复过程中时,尾部边缘边界交叠先前被模板的前导边缘边界形成图形的邻近压印区场的边缘部分,在如此区场之间的图形排斥区域内形成全特征高度特征,并避免如此区场之间的间隙或敞开区域以其它方式导致诸如蚀刻过程和CMP的下游过程的不均匀性。
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公开(公告)号:CN105143976A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201480008909.X
申请日:2014-03-17
Applicant: 佳能纳米技术公司 , 分子制模股份有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 提供用于制造基于聚合物的压印光刻模板的方法和系统,该模板具有薄的金属或氧化物涂覆的图案化表面。这种模板显示增强的流体铺展性和填充性(甚至在不存在吹扫气体时)、良好的释放性质和长使用寿命。具体来说,用于制造氧化物涂覆的模型的方法和系统可在大气压力条件下进行,从而降低加工成本和增强通量。
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公开(公告)号:CN104221127A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201280062807.7
申请日:2012-12-19
Applicant: 佳能纳米技术公司 , 分子制模股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B29D11/0074 , B29C33/3842 , B29C43/003 , B29C43/021 , B29C59/022 , B29C2033/426 , B29C2043/025 , B29C2059/023 , B29D11/00 , B29D11/00769 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , Y10S977/887 , Y10S977/888
Abstract: 描述了形成可用于图案化包括例如线栅偏振器(WGP)的大面积光学装置的大面积模板的方法。这些方法提供这种大面积装置的无缝图案化。
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公开(公告)号:CN106030756B
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN201480071488.5
申请日:2014-12-31
Applicant: 佳能纳米技术公司
Inventor: M·加纳帕斯苏伯拉曼尼安 , M·M·金凯德 , 崔炳镇 , S·V·斯里尼瓦桑
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于局部区域压印的系统及方法,以使压印模板非对称地调整以容许在与该模板中心间隔开的位置处与基板上的一局部区域初始地接触。
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公开(公告)号:CN104221127B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201280062807.7
申请日:2012-12-19
Applicant: 佳能纳米技术公司 , 分子制模股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B29D11/0074 , B29C33/3842 , B29C43/003 , B29C43/021 , B29C59/022 , B29C2033/426 , B29C2043/025 , B29C2059/023 , B29D11/00 , B29D11/00769 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , Y10S977/887 , Y10S977/888
Abstract: 描述了形成可用于图案化包括例如线栅偏振器(WGP)的大面积光学装置的大面积模板的方法。这些方法提供这种大面积装置的无缝图案化。
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公开(公告)号:CN106030756A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201480071488.5
申请日:2014-12-31
Applicant: 佳能纳米技术公司
Inventor: M·加纳帕斯苏伯拉曼尼安 , M·M·金凯德 , 崔炳镇 , S·V·斯里尼瓦桑
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于局部区域压印的系统及方法,以使压印模板非对称地调整以容许在与该模板中心间隔开的位置处与基板上的一局部区域初始地接触。
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