用于亚20nm特征的均匀压印图案转移的方法

    公开(公告)号:CN106030406B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201480071486.6

    申请日:2014-12-30

    Abstract: 描述了增加压印光刻中蚀刻选择性的方法,所述方法使用赋予多层材料堆叠件独特形貌的材料沉积技术,由此增加蚀刻过程窗口和改善蚀刻选择性。例如,可在图案化光刻胶层与沉积的金属、准金属或非有机氧化物之间获得大于或等于50:1的蚀刻选择性,这在将图案转移进入衬底的蚀刻过程之前显著保留了图案特征高度,实现了在高保真度下的亚20nm图案转移。

    压印光刻术模板和用于零间隙压印的方法

    公开(公告)号:CN105793777B

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201480066234.4

    申请日:2014-12-10

    Abstract: 提供具有前导和尾部边缘边界的压印光刻术模板,压印光刻术模板在邻近区场之间实现了零间隙的压印,在位于如此区场之间的图形排斥区域(PEZ)内提供全特征的高度特征。前导边缘边界包括虚拟特征,例如,平行于台面边缘方向地定向的细长特征,同时尾部边缘边界包括延伸到台面边缘的凹陷。当使用在步进重复过程中时,尾部边缘边界交叠先前被模板的前导边缘边界形成图形的邻近压印区场的边缘部分,在如此区场之间的图形排斥区域内形成全特征高度特征,并避免如此区场之间的间隙或敞开区域以其它方式导致诸如蚀刻过程和CMP的下游过程的不均匀性。

    用于亚20nm特征的均匀压印图案转移的方法

    公开(公告)号:CN106030406A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201480071486.6

    申请日:2014-12-30

    Abstract: 描述了增加压印光刻中蚀刻选择性的方法,所述方法使用赋予多层材料堆叠件独特形貌的材料沉积技术,由此增加蚀刻过程窗口和改善蚀刻选择性。例如,可在图案化光刻胶层与沉积的金属、准金属或非有机氧化物之间获得大于或等于50:1的蚀刻选择性,这在将图案转移进入衬底的蚀刻过程之前显著保留了图案特征高度,实现了在高保真度下的亚20nm图案转移。

    压印光刻术模板和用于零间隙压印的方法

    公开(公告)号:CN105793777A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201480066234.4

    申请日:2014-12-10

    Abstract: 提供具有前导和尾部边缘边界的压印光刻术模板,压印光刻术模板在邻近区场之间实现了零间隙的压印,在位于如此区场之间的图形排斥区域(PEZ)内提供全特征的高度特征。前导边缘边界包括虚拟特征,例如,平行于台面边缘方向地定向的细长特征,同时尾部边缘边界包括延伸到台面边缘的凹陷。当使用在步进重复过程中时,尾部边缘边界交叠先前被模板的前导边缘边界形成图形的邻近压印区场的边缘部分,在如此区场之间的图形排斥区域内形成全特征高度特征,并避免如此区场之间的间隙或敞开区域以其它方式导致诸如蚀刻过程和CMP的下游过程的不均匀性。

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